Name: TXS0104ERGYR TI Chips TXS0104E Translator de nível de tensão bidirecional de 4 bits para aplicações de drenagem aberta e puxa
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: TXS0104ERGYR
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	TI chips
Número do modelo:	TXS0104ERGYR
Quantidade mínima:	2500
Detalhes da embalagem:	2500 unidades/carretel
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Documento:

txs0104e.pdf

modelo:

TXS0104ERGYR

Nome do produto:

Chips de TI

Tipo:

SMD/SMT

Temperatura operacional:

- 40 °C~+ 85 °C

Taxa de dados:

50 Mb/s

Tempo de atraso da propagação:

260 ns

Habilidade da fonte:

1.000.000

Destacar:

TXS0104ERGYR

Chips TI TXS0104ERGYR

Tradutor de Nível de 4 Bits

Descrição do produto

TI chips TXS0104ERGYR TXS0104E Tradutor de Nível de Tensão Bidirecional de 4 bits para Aplicações Open-Drain e Push-Pull

Recursos

• Nenhum sinal de controle de direção necessário

• Taxas máximas de dados:

– 24Mbps (push pull)

– 2Mbps (open drain)

• 1,65 V a 3,6 V na porta A e 2,3 V a 5,5 V na porta B

port (VCCA ≤ VCCB)

• Nenhuma sequenciamento de fonte de alimentação é necessária – VCCA ou

VCCB pode ser rampado primeiro

• Desempenho de latch-up excede 100 mA por JESD

78, classe II

• Proteção ESD excede JESD 22:

– Porta A:

• Modelo de Corpo Humano de 2000 V (A114-B)

• Modelo de Máquina de 200 V (A115-A)

• Modelo de Dispositivo Carregado de 1000 V (C101)

– Porta B:

• Modelo de Corpo Humano de 15 kV (A114-B)

• Modelo de Máquina de 200 V (A115-A)

• Modelo de Dispositivo Carregado de 1000 V (C101)

• IEC 61000-4-2 ESD (porta B):

– Descarga de contato de ±8 kV

– Descarga de gap de ar de ±10 kV

Aplicações

• Telefone

• Smartphone

• Tablet

• PC Desktop

Descrição

Este tradutor não inversor de 4 bits usa dois

independentes e configuráveis trilhos de fonte de alimentação. A porta A é

projetada para acompanhar VCCA. VCCA aceita qualquer tensão de alimentação

de 1,65 V a 3,6 V. VCCA deve ser menor

ou igual a VCCB. A porta B é projetada para

acompanhar VCCB. VCCB aceita qualquer tensão de alimentação de 2,3

V a 5,5 V. Isso permite a tradução bidirecional de baixa tensão

entre quaisquer dos nós de tensão de 1,8 V, 2,5 V, 3,3 V e

5 V.

Quando a entrada de habilitação de saída (OE) está baixa, todas as saídas

são colocadas em estado de alta impedância.

O TXS0104E é projetado de forma que o circuito de entrada OE

seja alimentado por VCCA.

Para o estado de alta impedância durante a energização

ou desenergização, conecte OE ao GND através de um resistor de pull-

down; o valor mínimo do resistor é

determinado pela capacidade de fornecimento de corrente do

driver.

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

Chipe LED Bridgelux

Chip Infineon

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Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

Chips IC da SAMSUNG

Chips de mícron

Chips SK Hynix

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Chips ADI

Contas de LED TSLC Semileds

Chip LED de alta potência

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Contas de LED TSLC Semileds

Chip LED de alta potência

detalhes dos produtos

TXS0104ERGYR TI Chips TXS0104E Translator de nível de tensão bidirecional de 4 bits para aplicações de drenagem aberta e puxa

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

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