รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED Samsung LH351D เซรามิกกำลังสูง 90 CRI ประสิทธิภาพสูง 260-740lm 1050mA

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

ชิป LED Samsung LH351D เซรามิกกำลังสูง 90 CRI ประสิทธิภาพสูง 260-740lm 1050mA

ชื่อแบรนด์:	Samsung
หมายเลขรุ่น:	LH351D
ขั้นต่ำ:	4000
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	4000
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

ชื่อสินค้า:

ซัมซุง

แอปพลิเคชัน:

ไฟถนน, ไฟอุโมงค์, ไฟรักษาความปลอดภัย, ไฟบริเวณ, ไฟสนามกีฬา/สนามกีฬา

อุณหภูมิในการทำงาน:

-40 ~ +105 องศาเซลเซียส

อุณหภูมิทางแยก LED:

สูงสุด 150 °C

ดัชนีการแสดงผลสี:

70/80/90

อุณหภูมิสี:

2700K / 3000K / 4000K / 5000K / 6500

ฟลักซ์ส่องสว่าง:

260–740 ลูเมน @ 1,050 มิลลิแอมป์

ต้านทานความร้อน:

2.2 องศาเซลเซียส/วัตต์

สามารถในการผลิต:

10,0000000000

เน้น:

ชิป LED เซรามิก LH351D

ชิป LED Samsung 3535

ชิป LED 90 CRI

รายละเอียดสินค้า

ชิป LED Samsung LH351D 3535 เซรามิก LED กำลังสูง 90 CRI ประสิทธิภาพสูง 260-740lm @1050mA

ประสิทธิภาพสูงและการแสดงสีคุณภาพสูงทำให้ LH351D เหมาะสมกับการใช้งานที่หลากหลาย

คุณสมบัติและประโยชน์
• ทำงานที่กระแสสูงสุดถึง 3.0 A
• การกระจายแสงสม่ำเสมอภายใต้มุมลำแสงใดๆ
• 90 CRI ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานส่วนใหญ่
• Hot binning @ 85 ºC

การใช้งาน

• แสงสว่างภายในอาคาร: สปอตไลท์, ดาวน์ไลท์

• แสงสว่างภายนอกอาคาร: ไฟถนน, ไฟอุโมงค์, ไฟรักษาความปลอดภัย, ไฟพื้นที่, ไฟสนามกีฬา/ลาน

• แสงสว่างอุตสาหกรรม: ไฟไฮเบย์, ไฟโลว์เบย์

• แสงสว่างสำหรับผู้บริโภค: ไฟฉาย

ส่วนประกอบ LED นี้มีช่วงอุณหภูมิการทำงานตั้งแต่ -40°C ถึง +105°C, ช่วงอุณหภูมิการจัดเก็บตั้งแต่ -40°C ถึง +120°C และอุณหภูมิรอยต่อ LED สูงสุดที่ 150°C รองรับกระแสไฟไปข้างหน้าสูงสุด 3000 mA และกระแสไฟพัลส์ไปข้างหน้าสูงสุด 5000 mA (ด้วยรอบการทำงาน 1/10 และความกว้างพัลส์ 10ms) อุณหภูมิในกระบวนการประกอบสามารถสูงถึง 260°C ได้นานน้อยกว่า 10 วินาที และมีค่า ESD (HBM) ที่ ±8 kV เพื่อการทำงานที่ถูกต้อง โปรดอ้างอิงเส้นโค้งการลดทอนใน '3. กราฟลักษณะทั่วไป' เพื่อให้แน่ใจว่ากระแสขับจะรักษาอุณหภูมิรอยต่อให้อยู่ต่ำกว่าขีดจำกัดสูงสุด

ลักษณะทางไฟฟ้าแสงสว่างของ LED นี้ ได้แก่ แรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้า 2.6–3.2 V ที่ 1050 mA และ 85°C, แรงดันไฟฟ้าผกผัน 14–19.5 V ที่ 5 mA และ 25°C, ความต้านทานความร้อน (รอยต่อถึงจุดบัดกรี) 2.2 °C/W ที่ 25°C และมุมลำแสง 128° ที่ 1050 mA และ 25°C Samsung รักษาความคลาดเคลื่อนในการวัดค่าฟลักซ์ส่องสว่างที่ ±7% และแรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้า ±0.1 V; ลักษณะที่ 25°C มีไว้เพื่อการอ้างอิงเท่านั้น

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

ชิป LED Samsung LH351D เซรามิกกำลังสูง 90 CRI ประสิทธิภาพสูง 260-740lm 1050mA

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI