รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป LED SAMSUNG

LH351C ซัมซุง 3535 เซรามิก ไฮ เพาเวอร์ LED 90 CRI 150-490lm 700mA 2A แม็กซ์ คอร์ต

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

LH351C ซัมซุง 3535 เซรามิก ไฮ เพาเวอร์ LED 90 CRI 150-490lm 700mA 2A แม็กซ์ คอร์ต

ชื่อแบรนด์:	Samsung
หมายเลขรุ่น:	LH351C
ขั้นต่ำ:	4000
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	4000
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

ชื่อสินค้า:

ซัมซุง

แอปพลิเคชัน:

ไฟไฮเบย์ ไฟโลว์เบย์

วัสดุ:

เซรามิค

ไปข้างหน้าปัจจุบัน:

2000 มิลลิแอมป์

อุณหภูมิในการทำงาน:

-40 ~ +105 ℃

ต้านทานความร้อน:

3 ℃/วัตต์

มุมลำแสง:

สามารถในการผลิต:

10,0000000000

เน้น:

LH351C ชิป LED เซรามิก

Samsung 3535 ไฮพาวเวอร์ LED

ชิป LED ขนาด 150 มิลลิเมตร

รายละเอียดสินค้า

Samsung LH351C 3535 เซรามิก LED กำลังสูง 90CRI ประสิทธิภาพสูง 150-490lm @700mA 85°C กระแสสูงสุด 2A

ประสิทธิภาพสูงและการแสดงสีคุณภาพสูงทำให้ LH351C เหมาะสมกับการใช้งานที่หลากหลาย

คุณสมบัติและประโยชน์

• ทำงานที่กระแสสูงสุดถึง 2 A

• การกระจายแสงสม่ำเสมอภายใต้ทุกมุมลำแสง

• 90 CRI ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานส่วนใหญ่

• Hot binning @ 85 °C

การใช้งาน

• แสงสว่างภายในอาคาร: สปอตไลท์, ดาวน์ไลท์

• แสงสว่างภายนอกอาคาร: ไฟถนน, ไฟอุโมงค์, ไฟรักษาความปลอดภัย, ไฟพื้นที่, ไฟสนามกีฬา/ลาน

• แสงสว่างอุตสาหกรรม: ไฟไฮเบย์, ไฟโลว์เบย์

• แสงสว่างสำหรับผู้บริโภค: ไฟฉาย

ส่วนประกอบ LED นี้มีพิกัดสูงสุดสัมบูรณ์พร้อมช่วงอุณหภูมิการทำงานตั้งแต่ -40°C ถึง +105°C และช่วงอุณหภูมิการจัดเก็บตั้งแต่ -40°C ถึง +120°C อุณหภูมิรอยต่อ LED สูงสุดคือ 150°C กระแสไฟตรงไปข้างหน้าคือ 2000 mA กระแสไฟตรงไปข้างหน้าสูงสุดแบบพัลส์คือ 2600 mA (ภายใต้ 1/10 duty และความกว้างพัลส์ 10 ms) อุณหภูมิของกระบวนการประกอบคือ 260°C สำหรับ <10 วินาที และความต้านทาน ESD (HBM) คือ ±8 kV หมายเหตุ 1 ระบุให้ดูเส้นโค้งการลดทอนสำหรับกระแสขับที่เหมาะสมเพื่อให้อุณหภูมิรอยต่อต่ำกว่าค่าสูงสุด

ลักษณะทางไฟฟ้า-แสงของ LED นี้รวมถึงแรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้า 2.6–3.1 V ที่ 700 mA และ 85°C แรงดันย้อนกลับ 11–15 V ที่ 5 mA และ 25°C ความต้านทานความร้อน (รอยต่อถึงจุดบัดกรี) 3 °C/W ที่ 25°C และมุมลำแสง 128° ที่ 700 mA และ 25°C Samsung ระบุความคลาดเคลื่อนในการวัด ±7% สำหรับฟลักซ์ส่องสว่าง และ ±0.1 V สำหรับแรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้า โดยมีลักษณะ 25°C ให้ไว้เพื่อการอ้างอิงเท่านั้น

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

LH351C ซัมซุง 3535 เซรามิก ไฮ เพาเวอร์ LED 90 CRI 150-490lm 700mA 2A แม็กซ์ คอร์ต

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI