chi tiết sản phẩm

Nhà Các sản phẩm

Chip LED SAMSUNG

LH351D Samsung LED Chip 3535 gốm năng lượng cao 90 CRI hiệu quả cao 260-740lm 1050mA

Tất cả các loại

Chip Led công suất cao

Liên hệ với chúng tôi

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Liên hệ ngay bây giờ

Tất cả các loại

LH351D Samsung LED Chip 3535 gốm năng lượng cao 90 CRI hiệu quả cao 260-740lm 1050mA

Tên thương hiệu:	Samsung
Số mô hình:	LH351D
MOQ:	4000
Chi tiết đóng gói:	4000
Điều khoản thanh toán:	T/T

Thông tin chi tiết

Mô tả sản phẩm

Thông tin chi tiết

Nguồn gốc:

Trung Quốc

Tài liệu:

Tên sản phẩm:

SAMSUNG

Ứng dụng:

Đèn đường, Đèn đường hầm, Đèn an ninh, Đèn khu vực, Đèn sân vận động/đấu trường

Nhiệt độ hoạt động:

-40 ~ +105°C

Nhiệt độ giao lộ LED:

tối đa 150 ° C

Chỉ số hoàn màu:

70/80/90

Nhiệt độ màu:

2700K / 3000K / 4000K / 5000K / 6500

Thông lượng phát sáng:

260–740 lm @ 1050 mA

Điện trở nhiệt:

2,2°C/W

Khả năng cung cấp:

1000000000

Làm nổi bật:

LH351D Ceramic LED Chip

Samsung LED Chip 3535

Chip LED 90 CRI

Mô tả sản phẩm

Chip LED Samsung LH351D 3535 Ceramic công suất cao 90 CRI Hiệu suất cao 260-740lm @1050mA

Hiệu suất cao và khả năng hiển thị màu sắc chất lượng cao làm cho LH351D phù hợp với nhiều ứng dụng

Tính năng & Lợi ích
• Hoạt động ở dòng điện tối đa lên đến 3.0 A
• Phân bố ánh sáng đồng đều dưới mọi góc chùm
• 90 CRI làm cho nó phù hợp với hầu hết các ứng dụng
• Hot binning @ 85 ºC

Ứng dụng

• Chiếu sáng trong nhà: Đèn chiếu điểm, Đèn âm trần

• Chiếu sáng ngoài trời: Đèn đường, Đèn hầm, Đèn an ninh, Đèn khu vực, Đèn sân vận động/nhà thi đấu

• Chiếu sáng công nghiệp: Đèn nhà xưởng, Đèn kho

• Chiếu sáng tiêu dùng: Đèn pin

Thành phần LED này có dải nhiệt độ hoạt động từ -40°C đến +105°C, dải nhiệt độ lưu trữ từ -40°C đến +120°C và nhiệt độ mối nối LED tối đa là 150°C. Nó hỗ trợ dòng điện thuận lên đến 3000 mA và dòng điện thuận đỉnh xung là 5000 mA (với chu kỳ hoạt động 1/10 và độ rộng xung 10ms). Nhiệt độ quy trình lắp ráp có thể đạt 260°C trong thời gian dưới 10 giây và nó có xếp hạng ESD (HBM) là ±8 kV. Để hoạt động đúng, hãy tham khảo đường cong suy giảm trong '3. Biểu đồ đặc tính điển hình' để đảm bảo dòng điện điều khiển giữ nhiệt độ mối nối dưới giới hạn tối đa của nó.

Đặc tính điện quang của LED này bao gồm điện áp thuận 2.6–3.2 V ở 1050 mA và 85°C, điện áp ngược 14–19.5 V ở 5 mA và 25°C, điện trở nhiệt (mối nối đến điểm hàn) là 2.2 °C/W ở 25°C và góc chùm là 128° ở 1050 mA và 25°C. Samsung duy trì dung sai đo lường là ±7% đối với quang thông và ±0.1 V đối với điện áp thuận; các đặc tính ở 25°C chỉ mang tính tham khảo.

Thẻ:

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

chi tiết sản phẩm

LH351D Samsung LED Chip 3535 gốm năng lượng cao 90 CRI hiệu quả cao 260-740lm 1050mA

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI