Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Обломок СИД Кри

Высокомощный светодиодный диод XHP70.3 высокой яркости, белый, 3535, 5050, 2835, алюминиевая подложка, SMD, припой, чип

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Высокомощный светодиодный диод XHP70.3 высокой яркости, белый, 3535, 5050, 2835, алюминиевая подложка, SMD, припой, чип

Название бренда:	Cree
Номер модели:	ХНР70.3
минимальный заказ:	10
Цена:	CN¥41.48-43.95
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

Цветовая температура (CCT):

2700К-6500К

Световая эффективность (лм/Вт):

Индекс цветопередачи (Ra):

Излучающий цвет:

Белый

Часы Woking:

50000

Рабочая температура (℃):

-40 - 85

Температура хранения (℃):

-40 - 100

Высокая мощность светодиода

Угол обзора (°):

Название продукта:

ХНР70.3

Поставка способности:

1000000

Выделить:

SMD светодиодный чип XHP70.3

Обломок СИД 5050 SMD

Светодиодный диод чип XHP70.3 3535

Описание продукта

Высокомощный светодиодный диод XHP70.3 с высокой яркостью, белый, 3535 5050 2835, алюминиевая подложка, SMD, паяный чип

Светодиоды XLamp®XHP70.3

ОПИСАНИЕ ПРОДУКТА

Светодиоды XLamp® XHP70.3 — это третье поколение Extreme

высокомощных светодиодов, обеспечивающих лучшую плотность светового потока, надежность и

оптический контроль в своем размере. Используя преимущества семейства XHP

производители осветительного оборудования могут значительно снизить свои

системные затраты, используя меньше оптики, печатных плат и радиаторов, чем

возможно со стандартными светодиодами.

Светодиоды семейства XHP третьего поколения обеспечивают улучшенные оптические

характеристики по сравнению с предыдущими поколениями, с более высокой интенсивностью

через оптику, чем второе поколение, и самой высокой осевой интенсивностью семейства XHP.

Светодиоды XLamp XHP70.3 оптимизированы для наружного и премиального

внутреннего освещения, требующего большого количества света

из небольших светильников, таких как стадионы, открытые площадки и

архитектурные прожекторы.

ХАРАКТЕРИСТИКИ

• Доступны в белом цвете, а также в версии 3 В или 6 В и 12 В

(6 В/12 В настраивается компоновкой печатной платы)

• Доступны в 5-ступенчатых бинах EasyWhite® при цветовой температуре от 3000 К до 5000 К

CCT, 3-ступенчатых бинах EasyWhite при цветовой температуре от 2700 К до 5000 К и 2-ступенчатых

бинах EasyWhite при цветовой температуре от 2700 К до 4000 К CCT

• Доступны в бинах ANSI White при цветовой температуре от 3000 К до 7000 К CCT

• Опция вещательного цвета при 5700 К обеспечивает максимальную

производительность для телевизионных мероприятий, требующих чрезвычайно высокого TLCI

• Доступны стандартные варианты с минимальным CRI 70, 80, 90 и 95

• Биннинг при 85 °C

• Максимальный ток управления: 14 400 мА (3 В), 7200 мА (6 В),

3600 мА (12 В)

• Низкое тепловое сопротивление: 0,2 °C/Вт

• Широкий угол обзора: 120° (HD), 115 (HI)

• Неограниченный срок хранения при ≤ 30 ºC/85% относительной влажности

• Пайка оплавлением - JEDEC J-STD-020C

• Соответствие RoHS и REACH

• Компонент, признанный UL® (E349212)

В этом документе подробно описаны основные характеристики светодиодов XHP70.3, которые тестируются и биннингуются в конфигурациях 3 В и 12 В (варианты расположения контактов приведены в разделе «Механические размеры» на странице 37). С точки зрения тепловых характеристик, тепловое сопротивление от перехода до точки пайки обычно составляет 0,2 °C/Вт, измеренное по стандарту JEDEC JESD51-14. С точки зрения оптических характеристик, угол обзора (FWHM) составляет 120 градусов для варианта высокой плотности и 115 градусов для варианта высокой интенсивности. Температурный коэффициент напряжения зависит от конфигурации: -1,25 мВ/°C (3 В), -2,5 мВ/°C (6 В, расчетные справочные данные) и -5,0 мВ/°C (12 В). Для обеспечения надежности напряжение пробоя ESD соответствует классу 3B (HBM по Mil-Std-883D). С электрической точки зрения, максимальный постоянный ток вперед составляет 14 400 мА (3 В), 7 200 мА (6 В, расчетные справочные данные) и 3 600 мА (12 В); обратное напряжение составляет 1 В. Прямое напряжение при 85 °C обычно составляет 2,8 В (макс. 3,05 В) для 3 В при 4 200 мА, 5,6 В (макс. 6,1 В) для 6 В при 2 100 мА (расчетные справочные данные) и 11,2 В (макс. 12,2 В) для 12 В при 1 050 мА. Максимальная температура перехода светодиода составляет 150 °C, при этом данные для конфигурации 6 В отмечены как расчетные и только для справки.

Теги:

Теплый нейтральный холодный CREE светодиодный чип белого цвета T6 от 2700K до 7000K XPP светодиоды 3000 мА 3А ток 3В 10 Вт

Получите самую лучшую цену

Оригинальный светодиодный чип CREEs 2835 SMD мощностью 9 Вт 1 Вт серии J, 2200K-6500K, холодный, натуральный, теплый белый, мощный диод

Получите самую лучшую цену

Оригинальный оптический источник 12 мм 36 В CXB1816N CXA1816N CREE Керамический COB светодиодный чип Диод 32 Вт Белый Ra90

Получите самую лучшую цену

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

Высокомощный светодиодный диод XHP70.3 высокой яркости, белый, 3535, 5050, 2835, алюминиевая подложка, SMD, припой, чип

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI