logo
अच्छा दाम  ऑनलाइन

उत्पादों का विवरण

Created with Pixso. घर Created with Pixso. उत्पाद Created with Pixso.
टीआई चिप्स
Created with Pixso.

TXS0104EDR TI चिप्स TXS0104E ओपन ड्रेन और पुश पुल अनुप्रयोगों के लिए 4-बिट द्विदिशात्मक वोल्टेज स्तर ट्रांसलेटर

TXS0104EDR TI चिप्स TXS0104E ओपन ड्रेन और पुश पुल अनुप्रयोगों के लिए 4-बिट द्विदिशात्मक वोल्टेज स्तर ट्रांसलेटर

ब्रांड का नाम: TI chips
मॉडल नंबर: TXS0104EDR
MOQ: 2500
पैकेजिंग विवरण: 2500PCS/रील
भुगतान की शर्तें: टी/टी
विस्तृत जानकारी
उत्पत्ति के प्लेस:
चीन
दस्तावेज:
नमूना:
TXS0104EDR
प्रकार:
एसएमडी/एसएमटी
प्रोडक्ट का नाम:
टीआई चिप्स
परिचालन तापमान:
- 40 डिग्री सेल्सियस ~ + 85 डिग्री सेल्सियस
प्रसार विलंब काल:
260 एनएस
आधार - सामग्री दर:
50 एमबी/एस
आपूर्ति की क्षमता:
1000000
प्रमुखता देना:

TXS0104EDR

,

TXS0104 TI चिप्स

,

4 बिट स्तर अनुवादक

उत्पाद वर्णन

TI चिप्स TXS0104EDR TXS0104E ओपन-ड्रेन और पुश-पुल अनुप्रयोगों के लिए 4-बिट द्विदिश वोल्टेज-स्तर अनुवादक


विशेषताएँ
• दिशा-नियंत्रण संकेत की आवश्यकता नहीं है
• अधिकतम डेटा दरें:
– 24Mbps (पुश पुल)
– 2Mbps (ओपन ड्रेन) 
• A पोर्ट पर 1.65 V से 3.6 V और B पर 2.3 V से 5.5 V
पोर्ट (VCCA ≤ VCCB)
• कोई पावर-सप्लाई अनुक्रमण आवश्यक नहीं है – VCCA या
VCCB को पहले रैंप किया जा सकता है
• लैच-अप प्रदर्शन JESD से 100 mA से अधिक है
78, क्लास II
• ESD सुरक्षा JESD 22 से अधिक है:
– A पोर्ट:
• 2000-V ह्यूमन-बॉडी मॉडल (A114-B)
• 200-V मशीन मॉडल (A115-A)
• 1000-V चार्ज्ड-डिवाइस मॉडल (C101)
– B पोर्ट:
• 15-kV ह्यूमन-बॉडी मॉडल (A114-B)
• 200-V मशीन मॉडल (A115-A)
• 1000-V चार्ज्ड-डिवाइस मॉडल (C101)
• IEC 61000-4-2 ESD (B पोर्ट):
– ±8-kV संपर्क डिस्चार्ज
– ±10-kV एयर-गैप डिस्चार्ज

अनुप्रयोग
• हैंडसेट
• स्मार्टफोन
• टैबलेट
• डेस्कटॉप पीसी

विवरण
यह 4-बिट नॉन-इनवर्टिंग अनुवादक दो अलग-अलग उपयोग करता है
विन्यास योग्य बिजली-आपूर्ति रेल। A पोर्ट है
V को ट्रैक करने के लिए डिज़ाइन किया गयाCCA. VCCA कोई भी आपूर्ति स्वीकार करता है
1.65 V से 3.6 V तक का वोल्टेज। VCCA कम होना चाहिए
V से कम या उसके बराबरCCB. B पोर्ट को डिज़ाइन किया गया है
V को ट्रैक करने के लिएCCB. VCCB 2.3 से किसी भी आपूर्ति वोल्टेज को स्वीकार करता है
V से 5.5 V तक। यह कम-वोल्टेज द्विदिश के बीच अनुमति देता है
1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, और के बीच अनुवाद
5-V वोल्टेज नोड्स।
जब आउटपुट-इनेबल (OE) इनपुट कम होता है, तो सभी आउटपुट
उच्च-प्रतिबाधा स्थिति में रखे जाते हैं।
TXS0104E को इस तरह से डिज़ाइन किया गया है कि OE इनपुट
सर्किट V द्वारा आपूर्ति की जाती हैCCA.
पावर अप के दौरान उच्च-प्रतिबाधा स्थिति के लिए
या पावर डाउन, OE को पुल के माध्यम से GND से बांधें-
डाउन रेसिस्टर; रेसिस्टर का न्यूनतम मान है
ड्राइवर की करंट-सोर्सिंग क्षमता द्वारा निर्धारित
TXS0104EDR TI चिप्स TXS0104E ओपन ड्रेन और पुश पुल अनुप्रयोगों के लिए 4-बिट द्विदिशात्मक वोल्टेज स्तर ट्रांसलेटर

TXS0104EDR TI चिप्स TXS0104E ओपन ड्रेन और पुश पुल अनुप्रयोगों के लिए 4-बिट द्विदिशात्मक वोल्टेज स्तर ट्रांसलेटर