| Tên thương hiệu: | TI Chips |
| Số mô hình: | UCC27211ADRMR |
| MOQ: | 3000 |
| Chi tiết đóng gói: | 3000 chiếc/cuộn |
| Điều khoản thanh toán: | T/T |
TI Chips UCC27211ADRMR UCC27211A Trình điều khiển Half-Bridge 120V, 3.7A/4.5A với UVLO 8V
Tính năng
• Dải nhiệt độ nối 40°C đến +150°C
• Lái hai MOSFET kênh N ở cấu hình phía trên và
phía dưới với các đầu vào độc lập
• Điện áp khởi động tối đa 120V DC
• Dòng đầu ra 3.7A nguồn, 4.5A hút
• Các chân đầu vào có thể chịu được 10V đến +20V và
độc lập với dải điện áp nguồn
• Đầu vào tương thích TTL
• Dải hoạt động VDD 8V đến 17V, (20V ABS MAX)
• Thời gian tăng 7.2ns và thời gian giảm 5.5ns với tải 1000pF
• Thời gian trễ nhanh (điển hình 20ns)
• Khớp độ trễ 4ns
• Khóa điện áp thấp đối xứng cho trình điều khiển
phía trên và phía dưới
• Có sẵn gói tiêu chuẩn công nghiệp
– 4mm x 4mm SON-8
Ứng dụng
• Bộ tối ưu hóa năng lượng mặt trời và bộ biến tần vi mô
• Nguồn điện viễn thông và thương mại
• UPS trực tuyến và ngoại tuyến
• Hệ thống lưu trữ năng lượng
• Thiết bị kiểm tra pin
Mô tả
Thiết bị trình điều khiển UCC27211A dựa trên
trình điều khiển MOSFET UCC27201 phổ biến; nhưng, thiết bị này
cung cấp một số cải tiến hiệu suất đáng kể.
Dòng cực đại kéo lên và kéo xuống của đầu ra đã
được tăng lên 3.7A nguồn và 4.5A hút và
do đó cho phép lái các MOSFET công suất lớn
với tổn thất chuyển mạch được giảm thiểu trong quá trình chuyển tiếp
qua Cao nguyên Miller của MOSFET. Cấu trúc đầu vào có thể
xử lý trực tiếp 10VDC, điều này làm tăng độ bền và cũng cho phép giao tiếp trực tiếp
với các biến áp lái cổng mà không cần sử dụng các diode chỉnh lưu. Các đầu vào cũng độc lập với điện áp nguồn và có định mức tối đa 20V.
Nút chuyển mạch của UCC27211A (chân HS)
có thể xử lý tối đa (24 - VDD) V, điều này cho phép kênh phía trên được bảo vệ khỏi các điện áp âm vốn có do điện cảm ký sinh
và điện dung ký sinh. UCC27211A (đầu vào TTL)
có độ trễ tăng lên cho phép giao tiếp với các bộ điều khiển PWM tương tự hoặc kỹ thuật số với khả năng miễn nhiễm nhiễu được tăng cường.
Các trình điều khiển cổng phía dưới và phía trên được điều khiển độc lập và khớp với 4ns giữa
lần bật và lần tắt của nhau. Một diode bootstrap
được đánh giá 120V trên chip loại bỏ các diode rời bên ngoài. Khóa điện áp thấp được cung cấp cho cả trình điều khiển phía trên và phía dưới, điều này
cung cấp hành vi bật và tắt đối xứng và buộc đầu ra ở mức thấp nếu điện áp lái thấp hơn ngưỡng được chỉ định.
![]()
![]()
![]()