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dettagli dei prodotti

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Chip TI
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UCC27211ADRMR TI Chips UCC27211A 120V 3.7A/4.5A Half Bridge Driver con 8V UVLO

UCC27211ADRMR TI Chips UCC27211A 120V 3.7A/4.5A Half Bridge Driver con 8V UVLO

Marchio: TI Chips
Numero di modello: UCC27211ADRMR
MOQ: 3000
Dettagli dell'imballaggio: 3000 pezzi/bobina
Termini di pagamento: T/T
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Cina
Documento:
modello:
UCC27211ADRMR
Nome del prodotto:
Chip TI
Tipo:
SMD/SMT
Corrente di uscita:
4 a
Incapsulamento:
Bobina
Corrente di alimentazione operativa:
2,6 mA
Capacità di alimentazione:
1000000
Evidenziare:

UCC27211ADRMR

,

UCC27211ADRMR Chips TI

,

120V half bridge driver

Descrizione del prodotto

TI Chips UCC27211ADRMR UCC27211A Driver Half-Bridge da 120V, 3.7A/4.5A con UVLO da 8V


Caratteristiche
• Intervallo di temperatura di giunzione da –40°C a +150°C
• Pilotaggio di due MOSFET a canale N in configurazione high-side e 
low-side con ingressi indipendenti
• Tensione di boot massima 120V DC
• Correnti di uscita sorgente 3.7A, sink 4.5A
• I pin di ingresso possono tollerare da –10V a +20V e sono 
indipendenti dall'intervallo di tensione di alimentazione
• Ingressi compatibili TTL
• Intervallo operativo VDD da 8V a 17V, (20V ABS MAX)
• Tempo di salita 7.2ns e tempo di discesa 5.5ns con carico da 1000pF
• Tempi di ritardo di propagazione rapidi (tipici 20ns)
• Corrispondenza del ritardo 4ns
• Blocco di sottotensione simmetrico per il driver 
high-side e low-side
• Pacchetto standard industriale disponibile
– SON-8 da 4mm × 4mm


Applicazioni
• Ottimizzatori di potenza solare e microinverter
• Alimentatori per telecomunicazioni e commerciali
• UPS online e offline
• Sistemi di accumulo di energia
• Apparecchiature di test per batterie


Descrizione
Il driver UCC27211A si basa sui 
popolari driver MOSFET UCC27201; tuttavia, questo dispositivo 
offre diversi miglioramenti significativi delle prestazioni.
La corrente di picco di pull-up e pull-down dell'uscita è stata 
aumentata a 3.7A sorgente e 4.5A sink e

ciò consente di pilotare MOSFET di potenza di grandi dimensioni 
con perdite di commutazione minimizzate durante la transizione 
attraverso il plateau di Miller del MOSFET. La struttura di ingresso può gestire direttamente –10VDC, il che 
aumenta la robustezza e consente anche l'interfacciamento diretto 
con trasformatori di pilotaggio del gate senza l'uso di diodi di rettifica.
Gli ingressi sono inoltre indipendenti dalla tensione di alimentazione e hanno una valutazione massima di 20V.
Il nodo di commutazione dell'UCC27211A (pin HS) 
può gestire un massimo di –(24 - VDD) V, il che consente 
al canale high-side di essere protetto dalle tensioni 
negative intrinseche causate da induttanza parassita 
e capacità di dispersione. L'UCC27211A (ingressi TTL) 
ha un'isteresi aumentata che consente l'interfacciamento 
con controller PWM analogici o digitali con immunità al rumore migliorata.
I driver di gate low-side e high-side sono 
controllati in modo indipendente e abbinati a 4ns tra 
l'accensione e lo spegnimento reciproco. Un diodo bootstrap integrato con rating 120V elimina i diodi discreti esterni. Viene fornito un blocco di sottotensione per 
sia i driver high-side che low-side, che 
fornisce un comportamento di accensione e spegnimento simmetrico e 
forza le uscite a livello basso se la tensione di pilotaggio è inferiore alla 
soglia specificata.





UCC27211ADRMR TI Chips UCC27211A 120V 3.7A/4.5A Half Bridge Driver con 8V UVLO


UCC27211ADRMR TI Chips UCC27211A 120V 3.7A/4.5A Half Bridge Driver con 8V UVLO


UCC27211ADRMR TI Chips UCC27211A 120V 3.7A/4.5A Half Bridge Driver con 8V UVLO