Chip Nexperia 74HC595D 118 Bộ ghi dịch 8 bit với đầu ra 3 trạng thái 2.0-6.0V CMOS Điện áp rộng Công suất thấp
Mô tả chung
74HC595; 74HCT595 là bộ ghi dịch 8 bit nối tiếp vào/nối tiếp hoặc song song ra với bộ ghi lưu trữ và đầu ra 3 trạng thái. Cả bộ ghi dịch và bộ ghi lưu trữ đều có xung nhịp riêng. Thiết bị có đầu vào nối tiếp (DS) và đầu ra nối tiếp (Q7S) để cho phép nối tầng và đầu vào đặt lại không đồng bộ MR. Mức LOW trên MR sẽ đặt lại bộ ghi dịch. Dữ liệu được dịch trên các chuyển đổi từ LOW sang HIGH của đầu vào SHCP. Dữ liệu trong bộ ghi dịch được chuyển sang bộ ghi lưu trữ trên chuyển đổi từ LOW sang HIGH của đầu vào STCP. Nếu cả hai xung nhịp được nối với nhau, bộ ghi dịch sẽ luôn đi trước bộ ghi lưu trữ một xung nhịp. Dữ liệu trong bộ ghi lưu trữ xuất hiện ở đầu ra bất cứ khi nào đầu vào cho phép đầu ra (OE) ở mức LOW. Mức HIGH trên OE làm cho các đầu ra ở trạng thái tắt trở kháng cao. Hoạt động của đầu vào OE không ảnh hưởng đến trạng thái của các bộ ghi. Đầu vào bao gồm các diode kẹp. Điều này cho phép sử dụng các điện trở giới hạn dòng điện để giao tiếp đầu vào với điện áp vượt quá V
CC
.
Tính năng và lợi ích
•
Dải điện áp cung cấp rộng từ 2.0 V đến 6.0 V
•
Tiêu tán công suất thấp CMOS
•
Khả năng chống nhiễu cao
•Đầu vào nối tiếp 8 bit•
Đầu ra nối tiếp hoặc song song 8 bit
Bộ ghi lưu trữ với đầu ra 3 trạng thái
Bộ ghi dịch với chức năng xóa trực tiếp
Tần số dịch ra 100 MHz (điển hình)
Hiệu suất chống kẹp vượt quá 100 mA theo JESD 78 Lớp II Cấp B
Tuân thủ các tiêu chuẩn JEDEC:
JESD8C (2.7 V đến 3.6 V)
JESD7A (2.0 V đến 6.0 V)
Mức đầu vào:
Đối với 74HC595: Mức CMOS
Đối với 74HCT595: Mức TTL
Bảo vệ ESD:
HBM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 lớp 2 vượt quá 2000 V
CDM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 lớp C3 vượt quá 1000 V
Nhiều tùy chọn đóng gói
Được chỉ định từ -40 °C đến +85 °C và từ -40 °C đến +125 °C