TI Chips BQ51050BRHLR bq5105xB Yüksek Verimli Qi v1.2 Uyumlu Kablosuz Güç Alıcısı ve Pil Şarj Cihazı
Özellikler
• Tek Kademeli Kablosuz Güç Alıcısı
ve Li-Ion/Li-Pol Pil Şarj Cihazı
– Kablosuz Güç Alıcısı, Doğrultucu
ve Pil Şarj Cihazını Tek, Küçük
Pakette Birleştirir
– 4.20-V, 4.35-V ve 4.40-V Çıkış Voltajı
Seçenekleri
– 1.5 A'e Kadar Şarj Akımını Destekler
– %93 Tepe AC-DC Şarj Verimliliği
• Sağlam Mimari
– 20-V Maksimum Giriş Voltajı Toleransı,
Giriş Aşırı Gerilim Koruması ile
– Termal Kapatma ve Aşırı Akım Koruması
– Sıcaklık İzleme ve Hata Algılama
• WPC v1.2 Qi Endüstri Standardı ile Uyumlu
• Güç Kademesi Çıkışı, Tam Şarj Döngüsü Boyunca
Maksimum Verimliliği Sağlamak İçin Doğrultucu ve Pil
Voltajını Takip Eder
• Küçük DSGBA ve VQFN Paketlerinde Mevcut
Uygulamalar
• Pil Paketleri
• Cep Telefonları ve Akıllı Telefonlar
• Kulaklıklar
• Taşınabilir Medya Oynatıcılar
• Diğer El Cihazları
Açıklama
bq5105x cihazı, taşınabilir uygulamalar için entegre bir Li-Ion/Li-Pol pil şarj denetleyicisine sahip, yüksek verimli, Qi uyumlu bir kablosuz güç alıcısıdır.
bq5105xB cihazları, verimli AC-DC güç dönüşümü sağlar, Qi v1.2 iletişim protokolüne uymak için gereken dijital denetleyiciyi entegre eder
ve
verimli ve güvenli Li-Ion ve Li-Pol pil şarjı için gereken tüm
gerekli
kontrol
algoritmalarını bq500212A verici tarafı denetleyicisi ile birlikte bq5105x, doğrudan pil şarj cihazı çözümleri
için tam bir kablosuz güç aktarım sistemi sağlar.
Yakın alan
endüktif güç aktarımı
kullanılarak, taşınabilir cihazda yerleşik alıcı bobini, verici bobini tarafından aktarılan gücü alabilir. Alıcı bobininden gelen AC sinyali daha sonra doğrultulur ve doğrudan pile güç uygulamak üzere koşullandırılır. Güç aktarım sürecini stabilize etmek için alıcıdan vericiye küresel geri besleme kurulur. Bu geri besleme, Qi v1.2 iletişim protokolü kullanılarak kurulur.
bq5105xB cihazları, düşük empedanslı dijital kontrol, şarj denetleyicisi
ve
tek bir pakette doğru
voltaj ve akım döngülerini entegre eder. Tüm güç kademesi (doğrultucu ve LDO) yüksek verimlilik ve düşük güç kaybı sağlamak için düşük dirençli N-MOSFET'ler (tipik 100-m