TI Chips BQ51050BRHLR bq5105xB Penerima Daya Nirkabel Sesuai Qi v1.2 Berkinerja Tinggi & Pengisi Daya Baterai
Fitur
Perangkat Genggam LainnyaPenerima Daya Nirkabel Satu Tahap
dan Pengontrol Pengisian Daya Baterai Li-Ion/Li-Pol
– Menggabungkan Penerima Daya Nirkabel, Penyearah,
dan Pengontrol Pengisian Daya dalam Satu
Paket Kecil
– Pilihan Tegangan Output 4,20 V, 4,35 V, dan 4,40 V
– Mendukung Arus Pengisian Daya hingga 1,5 A
– Efisiensi Pengisian Daya AC-DC Puncak 93%
•
Perangkat Genggam Lainnya– Toleransi Tegangan Input Maksimum 20 V,
Dengan Perlindungan Tegangan Input Berlebih
– Shutdown Termal dan Perlindungan Arus Berlebih
– Pemantauan Suhu dan Deteksi Kesalahan
•
Perangkat Genggam Lainnya•
Perangkat Genggam Lainnyauntuk Memastikan Efisiensi Maksimum di Seluruh
Siklus Pengisian Daya Penuh
•
Perangkat Genggam LainnyaAplikasi
•
Perangkat Genggam Lainnya•
Perangkat Genggam Lainnya•
Perangkat Genggam Lainnya•
Perangkat Genggam Lainnya•
Perangkat Genggam LainnyaDeskripsi
Perangkat bq5105x adalah penerima daya nirkabel yang sangat efisien dan sesuai dengan Qi dengan pengontrol pengisian daya baterai Li-Ion/Li-Pol terintegrasi untuk aplikasi portabel.
Perangkat bq5105xB menyediakan konversi daya AC-DC yang efisien, mengintegrasikan pengontrol digital
yang diperlukan untuk mematuhi protokol komunikasi Qi v1.2,
dan
menyediakan
semua
algoritma
kontrol Dengan menggunakan transfer daya induktif medan dekat, koil penerima yang tertanam di perangkat portabel dapat menangkap daya yang ditransmisikan oleh koil pemancar. Sinyal AC dari koil penerima kemudian disearahkan dan dikondisikan untuk menerapkan daya langsung ke baterai. Umpan balik global ditetapkan dari penerima ke pemancar untuk menstabilkan proses transfer daya. Umpan balik ini ditetapkan menggunakan protokol komunikasi Qi v1.2.
Perangkat bq5105xB mengintegrasikan penyearah sinkron impedansi rendah, regulator dropout rendah (LDO),
kontrol
digital,
pengontrol
pengisian daya, loop tegangan dan arus yang akurat dalam satu paket. Tahap daya seluruhnya (penyearah dan LDO) menggunakan N-MOSFET dengan resistansi rendah (100-mΩ Rdson tipikal) untuk
memastikan efisiensi tinggi dan disipasi daya rendah.