TI Chips BQ51050BRHLR bq5105xB Ricevitore di Alimentazione Wireless Qi v1.2 ad Alta Efficienza e Caricabatterie
Caratteristiche
Altri Dispositivi PortatiliRicevitore di Alimentazione Wireless a Stadio Singolo
e Caricabatterie Li-Ion/Li-Pol
– Combina Ricevitore di Alimentazione Wireless, Raddrizzatore,
e Caricabatterie in un Singolo, Piccolo
Package
– Opzioni di Tensione di Uscita 4.20 V, 4.35 V e 4.40 V
– Supporta una Corrente di Carica fino a 1,5 A
– Efficienza di Carica AC-DC di Picco del 93%
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Altri Dispositivi Portatili– Tolleranza di Tensione di Ingresso Massima di 20 V,
Con Protezione da Sovratensione in Ingresso
– Spegnimento Termico e Protezione da Sovracorrente
– Monitoraggio della Temperatura e Rilevamento Guasti
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Altri Dispositivi Portatili•
Altri Dispositivi Portatiliper Garantire la Massima Efficienza Durante l'Intero
Ciclo di Carica
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Altri Dispositivi PortatiliApplicazioni
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Altri Dispositivi Portatili•
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Altri Dispositivi PortatiliDescrizione
Il dispositivo bq5105x è un ricevitore di alimentazione wireless ad alta efficienza, conforme a Qi,
con un controller di carica per batterie Li-Ion/Li-Pol integrato per applicazioni portatili.
I dispositivi bq5105xB forniscono una conversione di potenza AC-DC efficiente, integrano il controller digitale
richiesto per essere conformi al protocollo di comunicazione Qi v1.2,
e
forniscono
tutti
i algoritmi di controllo necessari per una carica efficiente e sicura delle batterie Li-Ion e Li-Pol. Insieme al controller lato trasmettitore bq500212A, il bq5105x abilita un sistema completo di trasferimento di potenza wireless per soluzioni di caricabatterie dirette. Utilizzando il
trasferimento
di potenza induttivo
in prossimità, la bobina ricevente incorporata
nel dispositivo portatile può captare la potenza
trasmessa dalla bobina trasmittente. Il segnale AC dalla I dispositivi bq5105xB integrano un raddrizzatore sincrono a bassa impedenza, un regolatore a basso dropout (LDO), controllo digitale, controller
di carica
e
accurate
cicli di tensione e corrente in un unico package. L'intero stadio di potenza (raddrizzatore e LDO) utilizza MOSFET N a bassa resistenza (100 m
Ω
Rdson tipica) per garantire alta efficienza e bassa dissipazione di potenza.