รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

UCC5350SBDR TI ชิป UCC53x0 ไดรเวอร์เกตแบบแยกช่องสัญญาณเดี่ยว แรงดันไฟเลี้ยงไดรเวอร์สูงสุด 33V

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

UCC5350SBDR TI ชิป UCC53x0 ไดรเวอร์เกตแบบแยกช่องสัญญาณเดี่ยว แรงดันไฟเลี้ยงไดรเวอร์สูงสุด 33V

ชื่อแบรนด์:	TI Chips
หมายเลขรุ่น:	UCC5350SBDR
ขั้นต่ำ:	2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

UCC5350SBDR

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

การกระจายพลังงาน:

1.21 W

การห่อหุ้ม:

กระแสไฟขาออก:

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

UCC5350SBDR

UCC5350 TI ชิป

33V ไดรเวอร์เกต

รายละเอียดสินค้า

ชิป TI UCC5350SBDR UCC53x0 ไดรเวอร์ประตูแยกช่องเดียวสูงสุดถึง 33V โฟลเตจไฟฟิตไดรเวอร์

ลักษณะ

• ตัวเลือกของ Feature

✅ ผลิตแบบแยก (UCC53x0S)

✅ UVLO ที่อ้างอิงถึง GND2 (UCC53x0E)

✅ ตัวเลือกเครือ Miller (UCC53x0M)

• 8-pin D (4mm creepage) และ

กล่อง DWV (8.5mm creepage)

• ความช้าในการแพร่หลาย 60 ns (ทั่วไป)

• CMTI ขั้นต่ํา 100kV/μs

• อายุการใช้งานของอุปกรณ์กักกัน > 40 ปี

• ความดันไฟเข้า 3V ถึง 15V

• สูงสุด 33V ไดรเวอร์ไฟฟิตแรงดัน

✅ ตัวเลือก UVLO 8V และ 12V

• ความสามารถในการจัดการลบ 5 วอลต์บนปินเข้า

• การรับรองเกี่ยวกับความปลอดภัย

¥ 7000VPKDWV การแยก (วางแผน) และ 4242VPK

การแยก D ตาม DIN V VDE V 0884-11:2017-01

และ DIN EN 61010-1

✅ 5000 วอลต์RMSDWV และ 3000VRMSD

ความสามารถในการแยกแยก 1 นาทีต่อ UL 1577

✅การรับรอง CQC ตาม GB4943.1-2011

D และ DWV (วางแผน)

• การเข้า CMOS

• อุณหภูมิการทํางาน: ∼40°C ถึง +125°C

การใช้งาน

•เครื่องขับเคลื่อนมอเตอร์

•เครื่องแปลงความแรงดันสูง DC-DC

• UPS และ PSU

• โมดูลพลังงาน HEV และ EV

• อินเวอร์เตอร์พลังแสงอาทิตย์

คําอธิบาย

UCC53x0 เป็นครอบครัวของช่องเดียว

เครื่องขับประตูที่ออกแบบเพื่อขับเคลื่อน MOSFETs, IGBTs

SiC MOSFETs และ GaN FETs (UCC5350SBD)

UCC53x0S ให้ผลิตแบ่งที่ควบคุม

เวลาขึ้นและตกแต่ละครั้ง

เชื่อมต่อประตูของทรานซิสเตอร์กับระบบภายใน

แคลมป์เพื่อป้องกันการเปิดเท็จที่เกิดจาก Miller

UCC53x0E มี UVLO2 ของมันอ้างอิงไปยัง

GND2 เพื่อหาค่า UVLO ที่จริง

UCC53x0 มีใน 4 มิลลิเมตร SOIC-8

(D) หรือ 8.5 มม. SOIC-8 (DWV)

โลตติจ์การแยกรองรับสูงถึง 3kVRMSและ 5kVRMS,

ด้วยตัวเลือกต่าง ๆ เหล่านี้ UCC53x0

ครอบครัวเป็นที่เหมาะสมสําหรับการขับเคลื่อนมอเตอร์และอุตสาหกรรม

พลังงานไฟฟ้า

เปรียบเทียบกับ optocoupler ครอบครัว UCC53x0

มีความสับสนส่วนต่อส่วนต่ํากว่า ความช้าในการขยายตัวต่ํากว่า

อุณหภูมิการทํางานที่สูงขึ้น และ CMTI ที่สูงขึ้น

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

UCC5350SBDR TI ชิป UCC53x0 ไดรเวอร์เกตแบบแยกช่องสัญญาณเดี่ยว แรงดันไฟเลี้ยงไดรเวอร์สูงสุด 33V

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI