logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
ชิป TI
Created with Pixso.

TPS26625DRCR TI ชิป TPS2662x 60-V 800-mA Industrial eFuse พร้อมอินพุตในตัว

TPS26625DRCR TI ชิป TPS2662x 60-V 800-mA Industrial eFuse พร้อมอินพุตในตัว

ชื่อแบรนด์: TI Chips
หมายเลขรุ่น: TPS26625DRCR
ขั้นต่ำ: 3000
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: 3000 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
เอกสาร:
แบบอย่าง:
TPS26625DRCR
ชื่อสินค้า:
ชิป TI
พิมพ์:
เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที
ขีด จำกัด ปัจจุบัน:
880 มิลลิแอมป์
กระแสไฟในการทำงาน:
343 ยูเอเอ
การห่อหุ้ม:
รอก
สามารถในการผลิต:
1000000
เน้น:

TPS26625DRCR

,

TPS26625 TI ชิป

,

60V Industrial eFuse

รายละเอียดสินค้า

TI Chips TPS26625DRCR TPS2662x 60-V, 800-mA Industrial eFuse พร้อมการป้องกันอินพุตในตัว 


คุณสมบัติ
• แรงดันไฟฟ้าทำงาน 4.5-V ถึง 60-V,
62-V แรงดันไฟฟ้าสูงสุดสัมบูรณ์
• การป้องกันขั้วอินพุตย้อนกลับในตัวถึง
–60 V
• การป้องกันขั้วเอาต์พุตย้อนกลับในตัวถึง
– (60 – VIN) (เฉพาะ TPS26624 และ TPS26625)
• MOSFET แบบหลังชนกันในตัวพร้อม 478-mΩ 
ความต้านทานรวม
• ขีดจำกัดกระแสที่ปรับได้ 25-mA ถึง 880-mA
(ความแม่นยำ ±5% ที่ 880 mA)
• การป้องกันโหลดระหว่างไฟกระชาก (IEC 61000-4-5) ด้วย 
ส่วนประกอบภายนอกน้อยที่สุด
• ภูมิคุ้มกันต่อการถ่ายโอนข้อมูลทางไฟฟ้าอย่างรวดเร็วตาม IEC 
61000-4-4
• การตอบสนองการปิดกั้นกระแสย้อนกลับอย่างรวดเร็ว (0.3 µs)
• UVLO ที่ปรับได้, การตัด OVP,
การควบคุมอัตราการเพิ่มขึ้นของเอาต์พุตสำหรับการจำกัดกระแสเริ่มต้น
• ตัวหนีบแรงดันเกินคงที่ 38-V
(เฉพาะ TPS26622 และ TPS26623)
• กระแสไฟนิ่งต่ำ, 340 µA ขณะทำงาน,
12 µA ขณะปิดเครื่อง
• ขนาดเล็ก – 10L (3 มม. × 3 มม.) VSON
• ได้รับการรับรองจาก UL 2367
– หมายเลขไฟล์ 169910
– RILIM ≥ 7.5 kΩ (สูงสุด 0.91-A)
• ได้รับการรับรองมาตรฐาน IEC 62368-1


การใช้งาน
• โมดูล PLC I/O
• ไดรฟ์ AC และเซอร์โว
• เซ็นเซอร์และการควบคุม
• เทอร์โมสตัท
• การป้องกันฝั่งสูงของ PoE


คำอธิบาย
ตระกูล TPS2662x เป็น eFuse แรงดันสูงขนาดกะทัดรัดที่เต็มไปด้วยคุณสมบัติพร้อมชุดคุณสมบัติการป้องกันที่สมบูรณ์ 
ช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุตที่กว้างตั้งแต่ 4.5 V ถึง 60 V 
ช่วยให้สามารถควบคุมแรงดันไฟฟ้า DC บัสยอดนิยมได้หลายแบบ 
อุปกรณ์สามารถทนทานและป้องกันโหลดจาก 
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายทั้งบวกและลบได้สูงสุด ±60 V 
อุปกรณ์ TPS26624 และ TPS26625 รองรับทั้ง 
การป้องกันขั้วย้อนกลับทั้งอินพุตและเอาต์พุต 
คุณสมบัติ FET แบบหลังชนกันในตัวให้การปิดกั้นกระแสย้อนกลับ 
ทำให้เหมาะสำหรับระบบที่มีข้อกำหนดการคงแรงดันไฟฟ้าเอาต์พุต 
ระหว่างไฟดับและไฟตก การป้องกันโหลด แหล่งจ่าย และอุปกรณ์มีให้พร้อมคุณสมบัติที่ปรับได้มากมาย 
รวมถึงกระแสเกิน อัตราการเพิ่มขึ้นของเอาต์พุต และเกณฑ์แรงดันเกิน แรงดันต่ำ บล็อกการควบคุมการป้องกันภายในที่แข็งแกร่งพร้อมกับ 
พิกัดแรงดันไฟฟ้าสูงของตระกูล TPS2662x ช่วย 
ลดความซับซ้อนของการออกแบบระบบสำหรับการป้องกันไฟกระชาก
TPS26620, TPS26622 และ TPS26624 มีคุณสมบัติ 
การปิดเครื่อง และ TPS26621, TPS26623 และ TPS26625 
มีฟังก์ชันการลองใหม่โดยอัตโนมัติ ซึ่งเป็น 
เหตุการณ์ความผิดพลาดจากอุณหภูมิเกินและกระแสเกิน
อุปกรณ์มีให้เลือกในแพ็คเกจ SON ขนาด 3 มม. × 3 มม. 10 พิน และระบุช่วงอุณหภูมิ –40°C ถึง 
+125°C






TPS26625DRCR TI ชิป TPS2662x 60-V 800-mA Industrial eFuse พร้อมอินพุตในตัว


TPS26625DRCR TI ชิป TPS2662x 60-V 800-mA Industrial eFuse พร้อมอินพุตในตัว


TPS26625DRCR TI ชิป TPS2662x 60-V 800-mA Industrial eFuse พร้อมอินพุตในตัว