รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

OPA2156IDR TI ชิป OPA2156 แอมพลิฟายเออร์ปฏิบัติการ CMOS ความแม่นยำสูงแบบ Rail-to-Rail ที่มีสัญญาณรบกวนต่ำพิเศษและแบนด์วิดท์กว้าง 36V

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

OPA2156IDR TI ชิป OPA2156 แอมพลิฟายเออร์ปฏิบัติการ CMOS ความแม่นยำสูงแบบ Rail-to-Rail ที่มีสัญญาณรบกวนต่ำพิเศษและแบนด์วิดท์กว้าง 36V

ชื่อแบรนด์:	TI Chips
หมายเลขรุ่น:	OPA2156IDR
ขั้นต่ำ:	2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

OPA2156IDR

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

อัตราการฆ่า:

40 โวลต์/เรา

กระแสไฟในการทำงาน:

4.4 มิลลิแอมป์

การห่อหุ้ม:

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

OPA2156IDR

OPA2156 TI ชิป

แอมพลิฟายเออร์ปฏิบัติการ 36V

รายละเอียดสินค้า

TI Chips OPA2156IDR OPA2156 36-V, สัญญาณรบกวนต่ำพิเศษ, แบนด์วิดท์กว้าง, CMOS, ความแม่นยำสูง, Rail-to-Rail, เครื่องขยายสัญญาณปฏิบัติการ

คุณสมบัติ

• สัญญาณรบกวนต่ำพิเศษ: 3 nV/√Hz ที่ 10 kHz

• แรงดันออฟเซ็ตต่ำ: ±25 µV

• การดริฟท์แรงดันออฟเซ็ตต่ำ: ±0.5 µV/°C

• กระแสไบอัสต่ำ: ±5 pA

• อัตราส่วนการปฏิเสธโหมดร่วม: 120dB

• สัญญาณรบกวนต่ำ: 3 nV/√Hz ที่ 10 kHz

• แบนด์วิดท์กว้าง: 25-MHz GBW

• อัตราขยายแรงดันแบบวงจรเปิด: 154 dB

• กระแสเอาต์พุตสูง: 100 mA

• อินพุตและเอาต์พุตแบบ Rail-to-rail

• อัตราสลูว์สูง: 40 V/µs

• เวลาตั้งค่าเร็ว: 600 ns (ขั้นบันได 10-V, 0.01%)

• แหล่งจ่ายไฟกว้าง: ±2.25 V ถึง ±18 V, 4.5 V ถึง 36 V

• แพ็คเกจมาตรฐานอุตสาหกรรม:

– Dual ใน SOIC-8 และ VSSOP-8

การใช้งาน

• การเก็บข้อมูล (DAQ)

• เครื่องขยายสัญญาณ Transimpedance แบบโฟโตไดโอด

• โมดูลตรวจสอบการสั่นสะเทือน

• โมดูลอินพุตแอนะล็อก

• เครื่องขยายสัญญาณไดรเวอร์ ADC ความละเอียดสูง

• อุปกรณ์ทางการแพทย์

คำอธิบาย

OPA2156 เป็นรุ่นแรกในกลุ่มผลิตภัณฑ์ใหม่ที่วางแผนไว้

ของเครื่องขยายสัญญาณปฏิบัติการ (op amps) แบบ 36-V, rail-to-rail

อุปกรณ์นี้มีแรงดันออฟเซ็ตต่ำมาก (±25 μV),

การดริฟท์ (±0.5 μV/°C), และกระแสไบอัสต่ำ (±5 pA)

ร่วมกับสัญญาณรบกวนแรงดันบรอดแบนด์ต่ำมาก (3

nV/√Hz)

คุณสมบัติที่เป็นเอกลักษณ์ เช่น ช่วงแรงดันอินพุตและเอาต์พุตแบบ rail-to-rail, แบนด์วิดท์กว้าง (25 MHz) กระแสเอาต์พุตสูง (100 mA), และอัตราสลูว์สูง (40 V/µs) ทำให้

OPA2156 เป็นเครื่องขยายสัญญาณปฏิบัติการที่มีประสิทธิภาพสูงและทนทาน

สำหรับ

การใช้งานอุตสาหกรรมความแม่นยำสูง

แรงดันสูง OPA2156 op amp มีจำหน่ายในแพ็คเกจ 8-pin SOIC และ VSSOP และระบุช่วงอุณหภูมิอุตสาหกรรมตั้งแต่ –40°C ถึง +125°C

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED