รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

TPS79925DDCR TI ชิป TPS799 200-mA กระแสเงียบต่ํา เสียงต่ําสุด เสียงสูง PSRR ระบบกํากับเส้นลดต่ํา

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

TPS79925DDCR TI ชิป TPS799 200-mA กระแสเงียบต่ํา เสียงต่ําสุด เสียงสูง PSRR ระบบกํากับเส้นลดต่ํา

ชื่อแบรนด์:	TI Chips
หมายเลขรุ่น:	TPS79925DDCR
ขั้นต่ำ:	3000
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	3000 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

TPS79925DDCR

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

แรงดันขาออก:

2.5 V

กระแสไฟขาออก:

200 มิลลิแอมป์

กระแสไฟดับ:

40 ยูเอ

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

TPS79925DDCR

ชิป TI TPS79925

200mA Linear Regulator

รายละเอียดสินค้า

TI Chips TPS79925DDCR TPS799 200-mA, กระแสสงบต่ำ, สัญญาณรบกวนต่ำมาก, High-PSRR ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าแบบ Low-Dropout เชิงเส้น

คุณสมบัติ

• ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าแบบ Low-dropout 200-mA พร้อม EN

• มีรุ่นแรงดันเอาต์พุตหลายแบบให้เลือก:

– เอาต์พุตคงที่ตั้งแต่ 1.2 V ถึง 4.5 V

– เอาต์พุตแบบปรับได้ตั้งแต่ 1.20 V ถึง 6.5 V

• การป้องกันกระแสไฟกระชากด้วยการสลับ EN

• IQ ต่ำ: 40 μA

• PSRR สูง:

– 66 dB ที่ 1 kHz

– 51 dB ที่ 10 kHz

• เสถียรด้วยตัวเก็บประจุเอาต์พุต ESR ต่ำ, 2-μF โดยทั่วไป

ความจุ

• การตอบสนองต่อการเปลี่ยนแปลงโหลดและสายสัญญาณที่ยอดเยี่ยม

• ความแม่นยำโดยรวม 2% (โหลด, สายสัญญาณ และอุณหภูมิ)

• ดรอปเอาต์ต่ำมาก: 100 mV

• แพ็คเกจ:

– DSBGA แบบบาง 5-bump ขนาด 0.97-mm × 1.34-mm

– SOT-23-THIN 5 ขา

– WSON 6 ขา

การใช้งาน

• สถานีฐาน

• สมาร์ทโฟน

• EPOS

• อุปกรณ์สวมใส่

• VCOs, RF

• เครือข่ายไร้สาย, Bluetooth®

คำอธิบาย

ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าเชิงเส้นแบบ Low-dropout (LDO) กำลังต่ำ TPS799 ให้ประสิทธิภาพ AC ที่ยอดเยี่ยมพร้อมกระแสลงกราวด์ที่ต่ำมาก ให้ค่าอัตราการปฏิเสธแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่าย (PSRR) สูง, สัญญาณรบกวนต่ำ, การสตาร์ทที่รวดเร็ว และการตอบสนองต่อการเปลี่ยนแปลงสายสัญญาณและโหลดที่ยอดเยี่ยม ในขณะที่ใช้กระแสลงกราวด์เพียง 40-μA (โดยทั่วไป) TPS799 เสถียรกับตัวเก็บประจุเซรามิกและใช้กระบวนการผลิต BiCMOS ขั้นสูงเพื่อให้ได้แรงดันไฟฟ้าดรอปเอาต์โดยทั่วไปที่ 100 mV ที่เอาต์พุต 200-mA TPS799 ใช้แรงดันอ้างอิงที่แม่นยำและวงจรป้อนกลับเพื่อให้ได้ความแม่นยำโดยรวม 2% ในทุกสภาวะของโหลด, สายสัญญาณ, กระบวนการผลิต และอุณหภูมิ TPS799 มีการป้องกันกระแสไฟกระชากเมื่อใช้การสลับ EN เพื่อสตาร์ทอุปกรณ์ โดยจำกัดกระแสทันที อุปกรณ์นี้ได้รับการระบุคุณสมบัติอย่างสมบูรณ์ในช่วงอุณหภูมิ T

= –40°C ถึง +125°C และมีให้เลือกในแพ็คเกจ low-profile, die-sized ball grid array (DSBGA) ทำให้เป็นตัวเลือกที่ดีสำหรับโทรศัพท์ไร้สายและการ์ด WLAN อุปกรณ์นี้ยังมีให้เลือกในแพ็คเกจ SOT-23-THIN 5 ขา และ WSON 6 ขา

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

TPS79925DDCR TI ชิป TPS799 200-mA กระแสเงียบต่ํา เสียงต่ําสุด เสียงสูง PSRR ระบบกํากับเส้นลดต่ํา

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI