|
| ชื่อแบรนด์: | TI Chips |
| หมายเลขรุ่น: | LM3150MHX/นพป |
| ขั้นต่ำ: | 2500 |
| รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: | 2500 ชิ้น/รีล |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | ที/ที |
TI Chips LM3150MHX/NOPB LM3150 Wide-VIN Synchronous Buck Controller
คุณสมบัติ
1• ตัวควบคุม Step-Down PowerWise™
• ช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุตกว้าง 6 V ถึง 42 V
• แรงดันไฟฟ้าเอาต์พุตปรับได้ตั้งแต่ 0.6 V
• ความถี่สวิตชิ่งที่ตั้งโปรแกรมได้สูงสุด 1 MHz
• ไม่ต้องมีการชดเชยลูป
• เปิดใช้งาน WEBENCH® เต็มรูปแบบ
• จำนวนส่วนประกอบภายนอกต่ำ
• การควบคุม Constant On-Time (COT)
• การตอบสนองชั่วคราวที่รวดเร็วเป็นพิเศษ
• เสถียรด้วยตัวเก็บประจุ ESR ต่ำ
• การเริ่มต้นเอาต์พุตแรงดันไฟฟ้า PreBias
• ขีดจำกัดกระแสที่หุบเขา
• การเริ่มต้นแบบนุ่มนวลที่ตั้งโปรแกรมได้
สร้างการออกแบบที่กำหนดเองโดยใช้ LM3150 ด้วย
WEBENCH Power Designer
แอปพลิเคชัน
• โทรคมนาคม
• อุปกรณ์เครือข่าย
• เราเตอร์
• การเฝ้าระวังความปลอดภัย
• โมดูลพลังงาน
คำอธิบาย
ตัวควบคุม LM3150 SIMPLE SWITCHER® เป็น
ตัวควบคุมพลังงานแบบ Step-Down ที่ใช้งานง่ายและ
เรียบง่าย สามารถให้กระแสเอาต์พุตได้สูงสุด 12 A ใน
แอปพลิเคชันทั่วไป LM3150 ทำงานด้วยช่วงแรงดันไฟฟ้า
อินพุตตั้งแต่ 6 V ถึง 42 V มีแรงดันไฟฟ้าเอาต์พุตที่
ปรับได้ตั้งแต่ 0.6 V ความถี่สวิตชิ่งสามารถปรับได้
สูงสุด 1 MHz และสถาปัตยกรรมแบบซิงโครนัสช่วยให้
การออกแบบมีประสิทธิภาพสูง ตัวควบคุม LM3150 ใช้
สถาปัตยกรรมการควบคุมแบบ Constant On-Time (COT)
พร้อมโหมดการควบคุมแบบ Ripple ที่จำลองขึ้น (ERM)
ที่เป็นกรรมสิทธิ์ ซึ่งช่วยให้สามารถใช้ตัวเก็บประจุ
เอาต์พุต ESR ต่ำ ซึ่งช่วยลดขนาดโซลูชันโดยรวมและ
แรงดันไฟฟ้าเอาต์พุต Ripple สถาปัตยกรรมการควบคุม
COT ช่วยให้การตอบสนองชั่วคราวที่รวดเร็วและไม่ต้อง
มีการชดเชยลูป ซึ่งช่วยลดจำนวนส่วนประกอบภายนอก
และลดความซับซ้อนของการออกแบบ
คุณสมบัติการป้องกันความผิดพลาด เช่น การปิดระบบ
ด้วยความร้อน, การล็อคแรงดันไฟฟ้าต่ำ, การป้องกัน
แรงดันไฟฟ้าเกิน, การป้องกันไฟฟ้าลัดวงจร, ขีดจำกัด
กระแส และการเริ่มต้นด้วยแรงดันไฟฟ้าเอาต์พุต Prebias
ช่วยให้โซลูชันมีความน่าเชื่อถือและแข็งแกร่ง
แนวคิด LM3150 ช่วยให้การออกแบบที่สมบูรณ์พร้อม
ใช้งานง่าย โดยใช้ส่วนประกอบภายนอกจำนวนน้อยที่สุด
และเครื่องมือออกแบบออนไลน์ WEBENCH ของ TI
WEBENCH ให้การสนับสนุนการออกแบบสำหรับทุกขั้นตอน
ของกระบวนการออกแบบ และรวมถึงคุณสมบัติต่างๆ เช่น
การคำนวณส่วนประกอบภายนอกพร้อมตัวเลือก MOSFET
ใหม่, การจำลองทางไฟฟ้า, การจำลองความร้อน และ
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia