รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

LMH6643MAX/NOPB TI ชิป LMH664x พลังงานต่ํา 130 MHz 75 mA เครื่องกระตุ้นการออกรถไฟฟ้าต่อรถไฟฟ้า

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

LMH6643MAX/NOPB TI ชิป LMH664x พลังงานต่ํา 130 MHz 75 mA เครื่องกระตุ้นการออกรถไฟฟ้าต่อรถไฟฟ้า

ชื่อแบรนด์:	TI Chips
หมายเลขรุ่น:	LMH6643MAX/NOPB
ขั้นต่ำ:	2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

LMH6643MAX/NOPB

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

อัตราการฆ่า:

135 โวลต์/เรา

กระแสไฟในการทำงาน:

2.7 มิลลิแอมป์

การห่อหุ้ม:

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

LMH6643MAX/NOPB

LMH6643 TI ชิป

130MHz Output Amplifiers

รายละเอียดสินค้า

TI Chips LMH6643MAX/NOPB LMH664x Low Power, 130 MHz, 75 mA Rail-to-Rail Output Amplifiers

คุณสมบัติ

(Vₛ = ±5 V, Tₐ = 25°C, Rₗ = 2 kΩ, Aᵥ = +1. ค่าทั่วไป เว้นแต่จะระบุไว้).

แบนด์วิดท์ -3 dB (Aᵥ = +1) 130 MHz

ช่วงแรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่าย 2.7 V ถึง 12.8 V

อัตราการสลู (Slew Rate), (Aᵥ = −1) 130V/μs⁽¹⁾

กระแสไฟฟ้าแหล่งจ่าย (ไม่มีโหลด) 2.7 mA/แอมป์

กระแสไฟฟ้าลัดวงจรเอาต์พุต +115 mA ถึง 145 mA

กระแสไฟฟ้าเอาต์พุตเชิงเส้น ±75 mA

แรงดันไฟฟ้าโหมดร่วมอินพุต 0.5 V เกิน V⁻, 1 V จาก V⁺

ช่วงแรงดันไฟฟ้าเอาต์พุต 40 mV จากราง

สัญญาณรบกวนแรงดันไฟฟ้าอินพุต (100 kHz) 17nV/√Hz

สัญญาณรบกวนกระแสไฟฟ้าอินพุต (100 kHz) 0.9pA/√Hz

THD (5MHz, Rₗ = 2kΩ, Vₒ = 2Vₚₚ, Aᵥ = +2) −62 dBc

เวลาในการตั้งค่า 68 ns

มีคุณสมบัติครบถ้วนสำหรับ 3 V, 5 V, และ ±5 V

การกู้คืนจากการโอเวอร์ไดรฟ์ 100 ns

ป้องกันการลัดวงจรเอาต์พุต⁽²⁾

ไม่มีการกลับเฟสเอาต์พุตเมื่อ CMVR เกิน

อัตราการสลูคือค่าเฉลี่ยของอัตราการสลูขึ้นและลง

ระยะเวลาลัดวงจรเอาต์พุตไม่จำกัดสำหรับ Vₛ 6 V, ระยะเวลาลัดวงจรที่อนุญาตคือ 1.5 ms.

การใช้งาน

ฟิลเตอร์แบบแอคทีฟ

CD/DVD ROM

บัฟเฟอร์แอมป์ ADC

วิดีโอพกพา

บัฟเฟอร์วัดกระแส

คำอธิบาย

ตระกูล LMH664X เป็นแอมพลิฟายเออร์แบบป้อนกลับแรงดันไฟฟ้าแบบซิงเกิลซัพพลายแท้ ให้ความเร็วสูง (130 MHz), ความผิดเพี้ยนต่ำ (−62 dBc), และกระแสเอาต์พุตสูงเป็นพิเศษ (ประมาณ 75 mA) ในราคาที่ต่ำและมีการใช้พลังงานลดลงเมื่อเทียบกับอุปกรณ์ที่มีประสิทธิภาพใกล้เคียงกันในปัจจุบัน

ช่วงแรงดันไฟฟ้าโหมดร่วมอินพุตขยายไปถึง 0.5 V ต่ำกว่า V⁻ และ 1 V จาก V⁺ ช่วงแรงดันไฟฟ้าเอาต์พุตขยายไปถึงภายใน 40 mV ของรางจ่ายใดรางหนึ่ง ทำให้มีช่วงไดนามิกกว้างซึ่งเป็นที่ต้องการอย่างยิ่งในการใช้งานแรงดันไฟฟ้าต่ำ วงจรเอาต์พุตสามารถให้กระแสได้ประมาณ 75 mA เพื่อขับโหลดหนัก อัตราการสลูเอาต์พุตที่รวดเร็ว (130 V/μs) ช่วยให้มั่นใจได้ว่าสามารถรักษาช่วงเอาต์พุตแบบพีคต่อพีคขนาดใหญ่ไว้ได้แม้ที่ความเร็วสูงขึ้น ส่งผลให้แบนด์วิดท์เต็มกำลังที่ยอดเยี่ยม 40 MHz ด้วยแหล่งจ่ายไฟ 3 V คุณสมบัติเหล่านี้ ร่วมกับต้นทุนที่ต่ำ ทำให้เป็นคุณสมบัติที่เหมาะสำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรมและเชิงพาณิชย์มากมาย

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

LMH6643MAX/NOPB TI ชิป LMH664x พลังงานต่ํา 130 MHz 75 mA เครื่องกระตุ้นการออกรถไฟฟ้าต่อรถไฟฟ้า

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI