รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

OPA197IDR TI ชิป OPAx197 เครื่องขยายเสียงปฏิบัติการแรงดันไฟฟ้าอินพุต/เอาต์พุตแบบรางต่อรางความแม่นยำสูง 36-V พร้อมแรงดันออฟเซ็ตต่ำ

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

OPA197IDR TI ชิป OPAx197 เครื่องขยายเสียงปฏิบัติการแรงดันไฟฟ้าอินพุต/เอาต์พุตแบบรางต่อรางความแม่นยำสูง 36-V พร้อมแรงดันออฟเซ็ตต่ำ

ชื่อแบรนด์:	TI Chips
หมายเลขรุ่น:	OPA197IDR
ขั้นต่ำ:	2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

OPA197IDR

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

อัตราการฆ่า:

20 V/เรา

กระแสไฟในการทำงาน:

1 มิลลิแอมป์

การห่อหุ้ม:

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

OPA197IDR TI ชิป

OPA197IDR เครื่องขยายเสียงปฏิบัติการ

เครื่องขยายเสียงปฏิบัติการความแม่นยำสูงแบบรางต่อราง

รายละเอียดสินค้า

TI Chips OPA197IDR OPAx197 36-V, Precision, Rail-to-Rail Input/Output, Low Offset Voltage, Operational Amplifiers

คุณสมบัติ

1• แรงดันออฟเซ็ตต่ำ: ±100 µV (สูงสุด)

• การดริฟต์แรงดันออฟเซ็ตต่ำ: ±2.5 µV/°C (สูงสุด)

• สัญญาณรบกวนต่ำ: 5.5 nV/√Hz ที่ 1 kHz

• อัตราการปฏิเสธโหมดร่วมสูง: 120 dB

(ขั้นต่ำ)

• กระแสไบอัสต่ำ: ±5 pA (ทั่วไป)

• อินพุตและเอาต์พุตแบบ Rail-to-Rail

• แบนด์วิดท์กว้าง: 10-MHz GBW

• อัตราการสลูว์สูง: 20 V/µs

• กระแสไฟฟ้าสแตนด์บายต่ำ: 1 mA ต่อแอมพลิฟายเออร์

(ทั่วไป)

• แหล่งจ่ายไฟกว้าง: ±2.25 V ถึง ±18 V, +4.5 V ถึง +36 V

• อินพุตที่กรอง EMI และ RFI

• ช่วงแรงดันอินพุตดิฟเฟอเรนเชียลถึงเรลแหล่งจ่ายไฟ

• ความสามารถในการขับโหลดคาปาซิทีฟสูง: 1 nF

• แพ็คเกจมาตรฐานอุตสาหกรรม:

– แบบเดี่ยวใน SOIC-8, SOT-5, และ VSSOP-8

– แบบคู่ใน SOIC-8 และ VSSOP-8

– แบบควอดใน SOIC-14 และ TSSOP-14

การใช้งาน

• ระบบการเก็บข้อมูลแบบมัลติเพล็กซ์

• อุปกรณ์ทดสอบและวัด

• แอมพลิฟายเออร์ไดรเวอร์ ADC ความละเอียดสูง

• บัฟเฟอร์อ้างอิง SAR ADC

• ตัวควบคุมลอจิกแบบตั้งโปรแกรมได้

• การวัดกระแสแบบ High-side และ Low-side

• คอมพาเรเตอร์ความแม่นยำสูง

คำอธิบาย

เดอะ OPAx197 แฟมิลี่ (OPA197, OPA2197, และ OPA4197)

เป็นโอเปอเรชันแนลแอมพลิฟายเออร์รุ่นใหม่ 36-V แอมพลิฟายเออร์เหล่านี้ให้ความแม่นยำ dc และประสิทธิภาพ ac ที่ยอดเยี่ยม

รวมถึงอินพุต/เอาต์พุตแบบ rail-to-rail, ออฟเซ็ตต่ำ (±25 µV, ทั่วไป), การดริฟต์ออฟเซ็ตต่ำ (±0.25 µV/°C,

ทั่วไป), และแบนด์วิดท์ 10-MHz

คุณสมบัติที่เป็นเอกลักษณ์ เช่น ช่วงแรงดันอินพุตดิฟเฟอเรนเชียล

ถึงเรลแหล่งจ่ายไฟ, กระแสเอาต์พุตสูง (±65 mA),

ความสามารถในการขับโหลดคาปาซิทีฟสูงถึง 1 nF, และอัตราการสลูว์สูง

(20 V/µs) ทำให้ OPA197 เป็นโอเปอเรชันแนลแอมพลิฟายเออร์ที่แข็งแกร่งและมีประสิทธิภาพสูง

สำหรับงานแรงดันสูงในอุตสาหกรรม

แฟมิลี่โอปแอมป์ OPA197 มีจำหน่ายใน

แพ็คเกจมาตรฐาน และระบุช่วงอุณหภูมิ –40°C ถึง

+125°C

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED