รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

TPS27081ADDCR TI ชิป TPS27081A 1.2-V ถึง 8-V 3-A PFET สวิตช์ภาระด้านสูงที่มีการเปลี่ยนระดับและปรับได้

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

TPS27081ADDCR TI ชิป TPS27081A 1.2-V ถึง 8-V 3-A PFET สวิตช์ภาระด้านสูงที่มีการเปลี่ยนระดับและปรับได้

ชื่อแบรนด์:	TI Chips
หมายเลขรุ่น:	TPS27081ADDCR
ขั้นต่ำ:	3000
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	3000 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

TPS27081ADDCR

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

แรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟ:

1.2 โวลต์ถึง 8 โวลต์

กระแสไฟขาออก:

การกระจายพลังงาน:

1.19 ว

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

TPS27081ADDCR

ชิป TI TPS27081ADDCR

เครื่องปรับอัตราภาระ

รายละเอียดสินค้า

TI Chips TPS27081ADDCR TPS27081A สวิตช์โหลด PFET ด้านบน 1.2-V ถึง 8-V, 3-A พร้อมการเลื่อนระดับและปรับค่าได้

คุณสมบัติ
PFET กำลังสูง, ความต้านทานต่ำ
− R₍DS(on)₎ = 32 mΩ ที่ V₍GS₎ = −4.5 V
− R₍DS(on)₎ = 44 mΩ ที่ V₍GS₎ = −3 V
− R₍DS(on)₎ = 82 mΩ ที่ V₍GS₎ = −1.8 V
− R₍DS(on)₎ = 93 mΩ ที่ V₍GS₎ = −1.5 V
− R₍DS(on)₎ = 155 mΩ ที่ V₍GS₎ = −1.2 V
ควบคุมอัตราการเพิ่มและลดระดับที่ปรับได้ผ่าน R1, R2 และ C1 ภายนอก
รองรับอินพุตแหล่งจ่ายไฟหลากหลายตั้งแต่ 1.2-V ถึง 8-V
NMOS ในตัวสำหรับการควบคุม PFET
NMOS เปิด/ปิด รองรับอินเทอร์เฟซลอจิกควบคุมหลากหลายตั้งแต่ 1-V ถึง 8-V
การป้องกัน ESD เต็มรูปแบบ (ทุกพิน)
− HBM 2 kV, CDM 500 V
กระแสไฟรั่วไหลต่ำมากในโหมดสแตนด์บาย (ทั่วไป 100 nA)
มีจำหน่ายในแพ็คเกจ 6 พินขนาดเล็ก
− 2.9 มม. × 2.8 มม. × 0.75 มม. SOT (DDC)

การใช้งาน
สวิตช์โหลดด้านบน
การควบคุมกระแสไฟกระชาก
การจัดลำดับและการควบคุมพลังงาน
การแยกพลังงานสแตนด์บาย
สวิตช์ไฟแบบพกพา

คำอธิบาย

อุปกรณ์ TPS27081A เป็นสวิตช์โหลดด้านบนที่รวม Power PFET และ Control NFET ไว้ในแพ็คเกจขนาดเล็ก

TPS27081A มีการป้องกัน ESD มาตรฐานอุตสาหกรรมบนทุกพิน ทำให้เข้ากันได้กับการป้องกัน ESD กับส่วนประกอบอื่นๆ บนบอร์ดได้ดียิ่งขึ้น

TPS27081A เลื่อนระดับสัญญาณลอจิกเปิด/ปิดไปยังระดับ VIN และรองรับลอจิก CPU หรือ MCU ต่ำถึง 1-V เพื่อควบคุมแหล่งจ่ายไฟแรงดันสูงขึ้นโดยไม่ต้องใช้ตัวเลื่อนระดับภายนอก

การสลับตัวเก็บประจุเอาต์พุตค่ามาก CL ผ่านสัญญาณลอจิกเปิด/ปิดที่รวดเร็วอาจส่งผลให้เกิดกระแสไฟกระชากมากเกินไป เพื่อควบคุมกระแสไฟกระชากของโหลด ให้เชื่อมต่อตัวต้านทาน R2 และเพิ่มตัวเก็บประจุภายนอก C1 ตามที่แสดงในแผนภาพอย่างง่าย หากต้องการกำหนดค่า TPS27081A เพื่อให้ได้อัตราการเพิ่มระดับที่ต้องการ โปรดดูส่วนการใช้งานและการนำไปใช้

ต้องใช้ตัวต้านทาน pullup ตัวเดียว R1 ในการใช้งานสวิตช์ไฟสแตนด์บาย ในการใช้งานดังกล่าว ให้เชื่อมต่อพิน R2 ของ TPS27081A กับกราวด์ของระบบเมื่อไม่จำเป็นต้องควบคุมกระแสไฟกระชาก

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

TPS27081ADDCR TI ชิป TPS27081A 1.2-V ถึง 8-V 3-A PFET สวิตช์ภาระด้านสูงที่มีการเปลี่ยนระดับและปรับได้

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI