logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
ชิป TI
Created with Pixso.

LM61460AANRJRR TI ชิป LM61460 3-V ถึง 36-V 6-A EMI ต่ํา

LM61460AANRJRR TI ชิป LM61460 3-V ถึง 36-V 6-A EMI ต่ํา

ชื่อแบรนด์: TI Chips
หมายเลขรุ่น: LM61460AANRJRR
ขั้นต่ำ: 3000
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: 3000 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
เอกสาร:
แบบอย่าง:
LM61460AANRJRR
ชื่อสินค้า:
ชิป TI
พิมพ์:
เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที
แรงดันขาออก:
ปรับได้
กระแสไฟขาออก:
6 ก
จำนวนเอาต์พุต:
1 เอาต์พุต
สามารถในการผลิต:
1000000
เน้น:

LM61460AANRJRR

,

LM61460AANRJRR TI ชิป

,

เครื่องแปลงไฟฟ้า 36V

รายละเอียดสินค้า

TI Chips LM61460AANRJRR LM61460 3-V ถึง 36-V, 6-A, Low EMI Synchronous Step-Down Converter


คุณสมบัติ
• รองรับ Functional Safety
– มีเอกสารประกอบเพื่อช่วยในการออกแบบระบบ Functional Safety
• ปรับให้เหมาะสมสำหรับข้อกำหนด ultra low EMI
– แพ็คเกจ Hotrod
™ และวงจรอินพุตแบบขนาน ลดการสั่นของสวิตช์โหนด
– ปรับเวลาขึ้นของ SW node ได้
• ออกแบบมาสำหรับการใช้งานที่เชื่อถือได้และทนทาน
– รองรับแรงดันไฟฟ้าชั่วขณะ 42-V
– ความแม่นยำในการควบคุมเอาต์พุตโดยรวม ±1%
– V
OUT ปรับได้ตั้งแต่ 1 V ถึง 95% ของ VIN – 0.4-V dropout พร้อมโหลด 4-A (ทั่วไป)
– คุณสมบัติการป้องกัน: การปิดระบบเนื่องจากความร้อน, การล็อคอินพุตเมื่อแรงดันไฟฟ้าต่ำ, กระแสเกินรอบต่อรอบ
การจำกัด, การป้องกันการลัดวงจรแบบ hiccup
• การแปลงพลังงานประสิทธิภาพสูงที่ทุกโหลด
– กระแสไฟขณะไม่มีโหลด 7-µA ที่ 13.5 V
IN
, 3.3 VOUT – ประสิทธิภาพ PFM 83% ที่ 1-mA, 13.5 V• R
, 5 VOUT – ความต้านทาน MOSFET ON ต่ำ • R
DS_ON_HS
= 21 mΩ (ทั่วไป) • RDS_ON_LS
= 21 mΩ (ทั่วไป) – ตัวเลือกการจ่ายไฟภายนอกเพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพ • เหมาะสำหรับแหล่งจ่ายไฟที่ปรับขนาดได้
– เข้ากันได้กับขาของ:
• LM61440-Q1 (36 V, 4 A, ปรับ fSW ได้)
• LM61440 (36 V, 4 A, ปรับ fSW ได้)
• LMQ61460 (36 V, 6 A, ตัวเก็บประจุภายใน)
• ใช้โมดูล TPSM63606 เพื่อให้พร้อมใช้งานเร็วขึ้น
การใช้งาน 
• USB Type-C

• หุ่นยนต์อุตสาหกรรม: บอร์ด CPU
• คอมพิวเตอร์อุตสาหกรรม: คอมพิวเตอร์แบบบอร์ดเดียว
• เครื่องมือวัดและทดสอบ
คำอธิบาย
LM61460 เป็นตัวแปลง DC-DC แบบซิงโครนัสแบบลดแรงดันไฟฟ้าประสิทธิภาพสูง ด้วย MOSFET ด้านบนและด้านล่างในตัว สามารถจ่ายกระแสเอาต์พุตได้สูงสุด 6 A ในช่วงอินพุตที่กว้างตั้งแต่ 3.0 V ถึง 36 V; รองรับแรงดันไฟฟ้า 42 V ช่วยให้การออกแบบการป้องกันแรงดันไฟฟ้าอินพุตง่ายขึ้น LM61460 ใช้การกู้คืนแบบนุ่มนวลจากการตก ทำให้ไม่มีแรงดันไฟฟ้าเกินที่เอาต์พุต
LM61460AANRJRR TI ชิป LM61460 3-V ถึง 36-V 6-A EMI ต่ํา

LM61460 ได้รับการออกแบบมาเป็นพิเศษเพื่อลด EMI ให้เหลือน้อยที่สุด อุปกรณ์นี้มีเวลาขึ้นของสวิตช์โหนดที่ปรับได้ แพ็คเกจ VQFN-HR ที่มีสัญญาณรบกวนสวิตช์โหนดต่ำ และการจัดเรียงขาที่ปรับให้เหมาะสมเพื่อความสะดวกในการใช้งาน ความถี่สวิตชิ่งสามารถตั้งค่าหรือซิงโครไนซ์ได้ระหว่าง 200 kHz ถึง 2.2 MHz เพื่อหลีกเลี่ยงย่านความถี่ที่ไวต่อสัญญาณรบกวน นอกจากนี้ยังสามารถเลือกความถี่เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพที่ความถี่การทำงานต่ำ หรือลดขนาดโซลูชันที่ความถี่การทำงานสูง
โหมดอัตโนมัติเปิดใช้งานการลดทอนความถี่เมื่อทำงานที่โหลดเบา ทำให้กระแสไฟขณะไม่มีโหลดเพียง 7 µA (ทั่วไป) และประสิทธิภาพที่โหลดเบาดีเยี่ยม การเปลี่ยนระหว่างโหมด PWM และ PFM อย่างราบรื่น พร้อมด้วยความต้านทาน MOSFET ON ที่ต่ำมาก และอินพุตไบอัสภายนอก ทำให้มั่นใจได้ถึงประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยมตลอดช่วงโหลด
คุณสมบัติทางไฟฟ้าถูกระบุในช่วงอุณหภูมิทางแยกตั้งแต่ –40°C ถึง +150°C ค้นหาแหล่งข้อมูลเพิ่มเติมได้ใน
เอกสารที่เกี่ยวข้อง
.
LM61460AANRJRR TI ชิป LM61460 3-V ถึง 36-V 6-A EMI ต่ํา

LM61460AANRJRR TI ชิป LM61460 3-V ถึง 36-V 6-A EMI ต่ํา