รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

LM358MX/NOPB TI ชิป LMx58-N เครื่องขยายเสียงปฏิบัติการคู่กำลังต่ำ

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

LM358MX/NOPB TI ชิป LMx58-N เครื่องขยายเสียงปฏิบัติการคู่กำลังต่ำ

ชื่อแบรนด์:	TI chips
หมายเลขรุ่น:	LM358MX/นพบ
ขั้นต่ำ:	2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

LM358MX/นพบ

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

การห่อหุ้ม:

แรงดันไฟฟ้าขั้นต่ำของแหล่งจ่ายไฟคู่:

1.5 โวลต์

กระแสไฟในการทำงาน:

250 ยูเอ

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

LM358MX/นพบ

LM358 TI ชิป

เครื่องขยายเสียงปฏิบัติการกำลัง

รายละเอียดสินค้า

TI ชิป LM358MX/NOPB LMx58-N Low-Power, Dual-Operational Amplifiers

คุณสมบัติ

• มีอยู่ในแพ็คเกจขนาดชิป DSBGA แบบ 8-bump

(ดู AN-1112, SNVA009)

• ชดเชยความถี่ภายในสำหรับการขยายสัญญาณแบบ unity gain

• อัตราขยายแรงดัน DC สูง: 100 dB

• แบนด์วิดท์กว้าง (unity gain): 1 MHz (ชดเชยอุณหภูมิ)

• ช่วงแรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายกว้าง:

– แหล่งจ่ายเดี่ยว: 3 V ถึง 32 V

– หรือแหล่งจ่ายคู่: ±1.5 V ถึง ±16 V

• การใช้กระแสไฟฟ้าแหล่งจ่ายต่ำมาก (500 μA) โดยไม่ขึ้นกับแรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่าย

• แรงดันไฟฟ้าออฟเซ็ตอินพุตต่ำ: 2 mV

• ช่วงแรงดันไฟฟ้าโหมดร่วมอินพุตครอบคลุม

กราวด์

• ช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุตดิฟเฟอเรนเชียลเท่ากับแรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่าย

• ช่วงการสวิงแรงดันเอาต์พุตสูง

• คุณสมบัติเฉพาะ:

– ในโหมดเชิงเส้น ช่วงแรงดันไฟฟ้าโหมดร่วมอินพุตครอบคลุมกราวด์ และแรงดันเอาต์พุตสามารถสวิงถึงกราวด์ได้ แม้ว่าจะทำงานด้วยแรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายเดี่ยวเท่านั้น

– ความถี่ตัด unity gain ได้รับการชดเชยอุณหภูมิ

– กระแสไบอัสอินพุตได้รับการชดเชยอุณหภูมิด้วย

• ข้อดี:

– Op amps สองตัวที่ชดเชยภายใน

– ไม่จำเป็นต้องใช้แหล่งจ่ายคู่

– อนุญาตให้ตรวจจับใกล้ GND และ V

OUT

ก็

– การใช้พลังงานเหมาะสำหรับการทำงานด้วยแบตเตอรี่

– เข้ากันได้กับตรรกะทุกรูปแบบ

– การใช้พลังงานเหมาะสำหรับการทำงานด้วยแบตเตอรี่

การใช้งาน

• ฟิลเตอร์แบบแอคทีฟ

• การปรับสภาพสัญญาณและการขยายสัญญาณทั่วไป

• เครื่องส่งสัญญาณกระแสไฟฟ้าแบบ 4-mA ถึง 20-mA คำอธิบาย ซีรีส์ LM158 ประกอบด้วยวงจรขยายสัญญาณแบบปฏิบัติการอิสระสองตัวที่มีอัตราขยายสูงและชดเชยความถี่ภายใน ซึ่งออกแบบมาโดยเฉพาะเพื่อทำงานจากแหล่งจ่ายไฟเดี่ยวในช่วงแรงดันไฟฟ้าที่กว้าง การทำงานจากแหล่งจ่ายไฟแบบแยกก็สามารถทำได้เช่นกัน และการใช้กระแสไฟฟ้าแหล่งจ่ายต่ำก็ไม่ขึ้นกับขนาดของแรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่าย

พื้นที่การใช้งานรวมถึงเครื่องขยายสัญญาณทรานสดิวเซอร์ บล็อกอัตราขยาย DC และวงจร op-amp แบบดั้งเดิมทั้งหมด ซึ่งตอนนี้สามารถนำไปใช้งานได้ง่ายขึ้นในระบบแหล่งจ่ายไฟเดี่ยว ตัวอย่างเช่น ซีรีส์ LM158 สามารถทำงานได้โดยตรงจากแรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่าย 3.3-V มาตรฐานที่ใช้ในระบบดิจิทัล และจะให้ส่วนต่อประสานอิเล็กทรอนิกส์ที่จำเป็นได้อย่างง่ายดายโดยไม่ต้องใช้แหล่งจ่ายไฟ ±15-V เพิ่มเติม

LM358 และ LM2904 มีอยู่ในแพ็คเกจขนาดชิป (8-bump DSBGA) โดยใช้เทคโนโลยีแพ็คเกจ DSBGA ของ TI

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

LM358MX/NOPB TI ชิป LMx58-N เครื่องขยายเสียงปฏิบัติการคู่กำลังต่ำ

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI