|
| ชื่อแบรนด์: | TI chips |
| หมายเลขรุ่น: | LM385M3X-1.2/นพ |
| ขั้นต่ำ: | 3000 |
| รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: | 3000 ชิ้น/รีล |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | ที/ที |
ชิป TI LM385M3X-1.2/NOPB LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N ไดโอเดสอ้างอิงความดันไมโครไฟฟ้า
ลักษณะ
± 1% และ 2% ความพอเพียงเบื้องต้น
กระแสการทํางาน 10 μA ถึง 20 mA
1 Ω ความต้านทานแบบไดนามิก
สัมพันธ์อุณหภูมิต่ํา
ความดันต่ํา หมายเลข 1.235V
2อุปกรณ์.5V และอุปกรณ์ปรับยังมี
LM185-2.5 และ LM185 ตามลําดับ
คําอธิบาย
LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N เป็นไดโอเดสควบคุมระยะระยะระยะระยะระยะระยะระยะระยะระยะระยะระยะระยะระยะระยะระยะระยะระยะระยะระยะระยะระยะระยะระยะ 10μA ถึง 20mAมันมีอัมพานดินามิกที่ต่ํามาก และมีความมั่นคงในอุณหภูมิที่ดี. การปรับปรุงในชิปใช้เพื่อให้ความอดทนความกระชับเครียดที่แน่น เนื่องจาก LM185-1.2-N แบนด์-gap reference ใช้แค่ทรานซิสเตอร์และตัวต่อต้าน ผลลัพธ์เสียงต่ําและความมั่นคงระยะยาวที่ดี
การออกแบบอย่างรอบคอบของ LM185-1.2-N ทําให้อุปกรณ์มีความอดทนต่อความจุแบบพิเศษ, ทําให้มันง่ายที่จะใช้ในเกือบทุกการใช้งานอ้างอิงระดับการทํางานแบบไดนามิกที่กว้างขวางทําให้มันสามารถใช้กับปัสดุที่แตกต่างกันอย่างมาก.
การใช้พลังงานที่ต่ํามากของ LM185-1.2-N ทําให้มันมีประโยชน์สําหรับวงจรไมโครไฟฟ้าเครื่องควบคุมหรือวงจรแบบแอนาล็อกที่ใช้งานทั่วไปที่มีอายุการใช้งานของแบตเตอรี่ใกล้กับอายุการใช้งาน.
นอกจากนี้, กระแสการทํางานที่กว้างขวางทําให้มันสามารถแทนที่ส่วนอ้างอิงเก่า ๆ ด้วยส่วนความอดทนที่เข้มข้นกว่า
LM185-1.2-N ได้รับการจัดตั้งให้ใช้งานในช่วงอุณหภูมิ -55°C ถึง 125°C ขณะที่ LM285-1.2-N ได้รับการจัดตั้งให้ใช้งานในช่วงอุณหภูมิ -40°C ถึง 85°C และ LM385-1.2-N 0°C ถึง 70°C LM185-1.2-N/LM285-12-N มีในกระเป๋า TO ปิดปิดและ LM285-1.2-N / LM385-1.2-N ยังมีในแพ็คเกจแบบแบบ TO-92 ราคาถูก เช่นเดียวกับ SOIC และ SOT-23.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia