รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

REF3312AIDBZR TI ชิป REF33xx 3.9μA SC70-3 SOT-23-3 และ UQFN-8 30ppm/°C Drift Voltage Reference

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

REF3312AIDBZR TI ชิป REF33xx 3.9μA SC70-3 SOT-23-3 และ UQFN-8 30ppm/°C Drift Voltage Reference

ชื่อแบรนด์:	TI chips
หมายเลขรุ่น:	REF3312AIDBZR
ขั้นต่ำ:	3000
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	3000 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

REF3312AIDBZR

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

อุณหภูมิในการทำงาน:

- 40 องศาเซลเซียส ~+ 125 องศาเซลเซียส

การห่อหุ้ม:

กระแสไฟในการทำงาน:

3.9 ยูเอเอ

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

REF3312AIDBZR

REF3312AIDBZR TI ชิป

3.9μA ความตึงดูดอ้างอิง

รายละเอียดสินค้า

TI ชิป REF3312AIDBZR REF33xx 3.9μA, SC70-3, SOT-23-3 และ UQFN-8, 30ppm/°C Drift Voltage Reference

คุณสมบัติ

• แพ็คเกจขนาดเล็ก: SC70-3, SOT-23-3, UQFN-8

• กระแสไฟเลี้ยงต่ำ: 3.9μA (ทั่วไป)

• แรงดันตกคร่อมต่ำมาก: 110mV (ทั่วไป)

• กระแสเอาต์พุตสูง: ±5mA

• ดริฟท์อุณหภูมิต่ำ: 30ppm/°C (สูงสุด)

• ความแม่นยำเริ่มต้นสูง: ±0.15% (สูงสุด)

• สัญญาณรบกวน 0.1Hz ถึง 10Hz: 35μVPP (REF3312)

• ตัวเลือกแรงดันไฟฟ้า: 1.2V, 1.8V, 2.5V, 3V, 3.3V

การใช้งาน

• อุปกรณ์พกพา

• แท็บเล็ตและสมาร์ทโฟน

• ฮาร์ดดิสก์ไดรฟ์

• โมดูลเซ็นเซอร์

• ระบบเก็บข้อมูล

• อุปกรณ์ทางการแพทย์

• อุปกรณ์ทดสอบ

คำอธิบาย

REF33xx เป็นตระกูลอ้างอิงแรงดันไฟฟ้าที่ใช้พลังงานต่ำและมีความแม่นยำสูง

มีให้เลือกในแพ็คเกจ SC70-3 และ SOT-23-3 ขนาดเล็ก

และในแพ็คเกจ UQFN-8 ขนาด 1.5 มม. × 1.5 มม. ขนาดเล็กและใช้พลังงานต่ำ

(สูงสุด 5μA) ทำให้ REF33xx เหมาะสำหรับ

การใช้งานที่หลากหลายในอุปกรณ์พกพาและที่ใช้แบตเตอรี่

REF33xx สามารถทำงานได้ที่แรงดันไฟฟ้า

สูงกว่าแรงดันไฟฟ้าขาออกที่ระบุ 180mV ภายใต้

สภาวะโหลดปกติ ยกเว้น

REF3312 ซึ่งมีแรงดันไฟฟ้าขั้นต่ำ

1.7V ทุกรุ่นได้รับการระบุสำหรับช่วงอุณหภูมิที่กว้าง

ตั้งแต่ –40°C ถึง +125°C

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

REF3312AIDBZR TI ชิป REF33xx 3.9μA SC70-3 SOT-23-3 และ UQFN-8 30ppm/°C Drift Voltage Reference

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI