รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

SN65HVD888DR TI ชิป SN65HVD888 บัสแก้ไขขั้ว RS-485 Transceiver พร้อม IEC ESD Protection

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

SN65HVD888DR TI ชิป SN65HVD888 บัสแก้ไขขั้ว RS-485 Transceiver พร้อม IEC ESD Protection

ชื่อแบรนด์:	TI chips
หมายเลขรุ่น:	SN65HVD888DR
ขั้นต่ำ:	2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

SN65HVD888DR

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

อุณหภูมิในการทำงาน:

- 40 องศาเซลเซียส ~ + 85 องศาเซลเซียส

กระแสไฟในการทำงาน:

900 ยูเอเอ

การป้องกัน ESD:

12 กิโลโวลต์

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

SN65HVD888DR

SN65HVD888 TI ชิป

Esd Protection Transceiver

รายละเอียดสินค้า

TI ชิป SN65HVD888DR SN65HVD888 RS-485 Transceiver แก้ไขขั้วบัสพร้อมการป้องกัน IEC-ESD

คุณสมบัติ

• เกินข้อกำหนดของมาตรฐาน EIA-485

• การแก้ไขขั้วบัสภายใน 76ms (tFS)

• อัตราข้อมูล: 300bps ถึง 250kbps

• ทำงานได้กับการกำหนดค่าสองแบบ:

– ตัวต้านทาน Failsafe เท่านั้น

– ตัวต้านทาน Failsafe และ Differential Termination

• สูงสุด 256 โหนดบนบัส (1/8 Unit Load)

• แพ็คเกจ SOIC-8 เพื่อความเข้ากันได้แบบย้อนหลัง

• การป้องกันขาบัส:

– การป้องกัน HBM ±16kV

– การคายประจุแบบสัมผัส IEC61000-4-2 ±12kV

– +4kV IEC61000-4-4 Fast transient burst

การใช้งาน

• เครือข่าย E-Metering

• ระบบอัตโนมัติในอุตสาหกรรม

• ระบบ HVAC

• เครือข่าย DMX512

• การควบคุมกระบวนการ

• การใช้งานที่ใช้แบตเตอรี่

• การควบคุมการเคลื่อนไหว

• อุปกรณ์โทรคมนาคม

คำอธิบาย

SN65HVD888 เป็น RS-485 Transceiver ที่ใช้พลังงานต่ำ

พร้อมการแก้ไขขั้วบัสอัตโนมัติและการป้องกันชั่วคราว

เมื่อเสียบขณะร้อน อุปกรณ์จะตรวจจับและแก้ไขขั้วบัสภายใน 76ms แรกของ

การพักบัส การป้องกันชั่วคราวบนชิปช่วยปกป้อง

อุปกรณ์จาก IEC61000 ESD และ EFT transients

อุปกรณ์นี้มีไดรเวอร์และตัวรับที่ทนทานสำหรับ

การใช้งานในอุตสาหกรรมที่ต้องการ ขาบัสมีความทนทานต่อ

เหตุการณ์การคายประจุไฟฟ้าสถิต (ESD) พร้อม

ระดับการป้องกันสูงต่อ Human-Body Model

(HBM), Air-Gap Discharge และ Contact Discharge

ตามข้อกำหนด

อุปกรณ์นี้รวมไดรเวอร์แบบ Differential และ

ตัวรับแบบ Differential ซึ่งทำงานร่วมกันจาก

แหล่งจ่ายไฟ 5V เดียว เอาต์พุต Differential ของไดรเวอร์และ

อินพุต Differential ของตัวรับจะเชื่อมต่อ

ภายในเพื่อสร้างพอร์ตบัสที่เหมาะสำหรับการสื่อสารแบบ Half-duplex

(บัสสองสาย) อุปกรณ์มีช่วงแรงดันไฟฟ้า Common-mode ที่กว้าง ทำให้เหมาะสำหรับ

การใช้งานแบบ Multi-point ผ่านสายเคเบิลยาว

SN65HVD888 มีให้เลือกในแพ็คเกจ SOIC-8

และมีคุณสมบัติในช่วงอุณหภูมิ -40°C ถึง 125°C

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

SN65HVD888DR TI ชิป SN65HVD888 บัสแก้ไขขั้ว RS-485 Transceiver พร้อม IEC ESD Protection

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI