รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

TPS3701DDCR TI ชิป TPS3701 ตัวตรวจจับแรงดันไฟฟ้าแบบหน้าต่างแรงดันสูง 36V พร้อมแหล่งอ้างอิงภายในสำหรับการตรวจสอบแรงดันไฟฟ้าเกินและต่ำกว่า

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

TPS3701DDCR TI ชิป TPS3701 ตัวตรวจจับแรงดันไฟฟ้าแบบหน้าต่างแรงดันสูง 36V พร้อมแหล่งอ้างอิงภายในสำหรับการตรวจสอบแรงดันไฟฟ้าเกินและต่ำกว่า

ชื่อแบรนด์:	TI chips
หมายเลขรุ่น:	TPS3701DDCR
ขั้นต่ำ:	3000
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	3000 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

แบบอย่าง:

TPS3701DDCR

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

อุณหภูมิในการทำงาน:

- 40 องศาเซลเซียส~+ 125 องศาเซลเซียส

การห่อหุ้ม:

กระแสไฟในการทำงาน:

8 ยูเอ

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

TPS3701DDCR

TPS3701 TI ชิป

ตัวตรวจจับแรงดันไฟฟ้า 36V

รายละเอียดสินค้า

TI ชิป TPS3701DDCR TPS3701 ตัวตรวจจับแรงดันไฟฟ้าแบบหน้าต่างแรงดันสูง (36V) พร้อมแหล่งอ้างอิงภายในสำหรับการตรวจสอบแรงดันไฟฟ้าเกินและต่ำกว่า

คุณสมบัติ

1• ช่วงแรงดันไฟฟ้าจ่ายกว้าง: 1.8 V ถึง 36 V

• เกณฑ์ที่ปรับได้: ต่ำถึง 400 mV

• เอาต์พุตแบบ Open-drain สำหรับแรงดันไฟฟ้าเกินและต่ำกว่า

การตรวจจับ

• กระแสไฟฟ้าสแตนด์บายต่ำ: 7 µA (ทั่วไป)

• ความแม่นยำของเกณฑ์สูง:

– 0.75% ทั่วอุณหภูมิ

– 0.25% (ทั่วไป)

• ฮิสเทรีซิสภายใน: 5.5 mV (ทั่วไป)

• ช่วงอุณหภูมิ: –40°C ถึง 125°C

• แพ็คเกจ:

– SOT-6

การใช้งาน

• ระบบควบคุมอุตสาหกรรม

• โมดูลคอมพิวเตอร์แบบฝัง

• DSP, ไมโครคอนโทรลเลอร์ และไมโครโปรเซสเซอร์

• คอมพิวเตอร์โน้ตบุ๊กและเดสก์ท็อป

• ผลิตภัณฑ์พกพาและใช้แบตเตอรี่

• ระบบ FPGA และ ASIC

คำอธิบาย

ตัวตรวจจับแรงดันไฟฟ้าแบบหน้าต่างแรงดันไฟฟ้ากว้าง TPS3701 ทำงานในช่วง 1.8 V ถึง 36 V อุปกรณ์มี ตัวเปรียบเทียบความแม่นยำสองตัวพร้อมแหล่งอ้างอิงภายใน 400 mV และเอาต์พุตแบบ Open-drain สองตัว (OUTA และ OUTB) ที่มีพิกัด 25 V สำหรับการตรวจจับแรงดันไฟฟ้าเกินและต่ำกว่า ใช้ TPS3701 เป็นตัวตรวจจับแรงดันไฟฟ้าแบบหน้าต่าง หรือเป็นตัวตรวจสอบแรงดันไฟฟ้าอิสระสองตัว ตั้งค่า แรงดันไฟฟ้าที่ตรวจสอบด้วยการใช้ตัวต้านทานภายนอก OUTA จะถูกขับให้ต่ำเมื่อแรงดันไฟฟ้าที่ขา INA ลดลงต่ำกว่าเกณฑ์ลบ และจะสูงขึ้น เมื่อ

แรงดันไฟฟ้า ตัวเปรียบเทียบทั้งสองใน TPS3701 รวมถึง สูงกว่า เกณฑ์บวก OUTB จะถูกขับให้ต่ำเมื่อแรงดันไฟฟ้าที่ ขา INB สูงกว่าเกณฑ์บวก และจะสูงขึ้นเมื่อแรงดันไฟฟ้าลดลงต่ำกว่าเกณฑ์ลบ ตัวเปรียบเทียบทั้งสองใน TPS3701 รวมถึง ฮิสเทรีซิสในตัว สำหรับการ ปฏิเสธสัญญาณรบกวน จึง รับประกันเอาต์พุตที่เสถียร การทำงาน โดย ไม่ มีการทริกเกอร์ผิดพลาด TPS3701 มีให้เลือกในแพ็คเกจ SOT-6 และระบุ ในช่วงอุณหภูมิรอยต่อของ –40°C ถึง 125°C

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED