รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

INA214AIDCKR TI ชิป INA21x แรงดันเอาต์พุต การวัดด้านต่ำหรือสูง กระแสสองทิศทาง จอภาพกระแสแบบ Zero Drift Series

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

INA214AIDCKR TI ชิป INA21x แรงดันเอาต์พุต การวัดด้านต่ำหรือสูง กระแสสองทิศทาง จอภาพกระแสแบบ Zero Drift Series

ชื่อแบรนด์:	TI chips
หมายเลขรุ่น:	INA214AIDCKR
ขั้นต่ำ:	3000
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	3000 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

INA214AIDCKR

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

อุณหภูมิในการทำงาน:

- 40 องศาเซลเซียส~+ 125 องศาเซลเซียส

กระแสไฟในการทำงาน:

100 ยูเอ

ได้รับข้อผิดพลาด:

0.02 %

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

INA214AIDCKR

INA214AIDCKR TI ชิป

จอภาพกระแสแบบ Zero Drift

รายละเอียดสินค้า

ชิป TI INA214AIDCKR INA21x ความดันออก การวัดด้านต่ําหรือสูง
ซีรี่ย์ Zero-Drift เครื่องตรวจจับการหลุดกระแสไฟฟ้า

ลักษณะ

• การปรับปรุงรูปแบบเพื่อให้ตรงกับการวางแผนและกระแส TI ใหม่

ตาราง, รูปภาพและอ้างอิงข้ามใช้

การเรียงลําดับเลขในเอกสารทั้งหมด

ระยะการทํางานแบบทั่วไปที่กว้าง: ¥0.3 V ถึง 26 V

•ความดันออฟเซต: ± 35 μV (สูงสุด, INA210)

(เปิดให้ใช้การหลุด 10mV Full Scale)

•ความแม่นยํา

ความผิดพลาดการเพิ่ม (อุณหภูมิสูงสุด)

• ± 0.5% (ฉบับ C)

• ± 1% (ฉบับ A และ B)

✅ 0.5-μV/°C การเคลื่อนไหวออฟเซ็ต (สูงสุด)

✅ 10-ppm/°C การขยายความเร็ว (สูงสุด)

• การ เลือก ประโยชน์:

✅ INA210: 200 V/V

✅ INA211: 500 V/V

✅ INA212: 1000 V/V

✅ INA213: 50 V/V

✅ INA214: 100 V/V

✅ INA215: 75 V/V

• กระแสที่หยุดอยู่: 100 μA (สูงสุด)

• แพ็คเกจ SC70 และ Thin UQFN: ทุกรุ่น

การใช้งาน

• คอมพิวเตอร์พับ

• โทรศัพท์มือถือ

• อุปกรณ์โทรคมนาคม

• การจัดการพลังงาน

• เครื่อง ชาร์จ แบตเตอรี่

คําอธิบาย

INA21x คือความแรงกดออก ความแรงปัจจุบัน

มอนิโตร (ยังเรียกว่าเครื่องกระตุ้นการตรวจจับกระแสไฟฟ้า)

ที่ใช้กันทั่วไปสําหรับ overcurrent

การป้องกัน, การวัดแม่นยําของกระแสไฟฟ้าสําหรับระบบ

การปรับปรุง, หรือในวงจรการตอบสนองวงจรปิด.

เครื่องมือชุดสามารถตรวจจับการหล่นผ่าน shunts

ที่ใช้งานในกระแสไฟฟ้าแบบปกติ ระหว่าง ₹0.3 V ถึง 26 V

อิสระจากความกระชับกําลังไฟฟ้า

มีให้บริการ: 50 V/V, 75 V/V, 100 V/V, 200 V/V, 500

V/V หรือ 1000 V/V ความสับสนต่ําของความเคลื่อนที่ศูนย์

สถาปัตยกรรมทําให้การตรวจจับกระแสไฟฟ้าได้สูงสุด

ลดลงข้ามทางหลีกที่ต่ําเพียง 10mV

อุปกรณ์เหล่านี้ทํางานจาก 2.7-V ทั่วไป 26-V

เครื่องไฟฟ้าที่ใช้พลังงานสูงสุด 100 μA

การจําหน่ายกระแสปัจจุบัน

ระยะอุณหภูมิการทํางานที่ขยาย

(≥40°C ถึง +125°C) และมีให้บริการใน SC70 และ UQFN

แพ็คเกจ

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

INA214AIDCKR TI ชิป INA21x แรงดันเอาต์พุต การวัดด้านต่ำหรือสูง กระแสสองทิศทาง จอภาพกระแสแบบ Zero Drift Series

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI