รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

LP5907SNX-3.3/NOPB TI ชิป LP5907 250mA เสียงต่ํา IQ ต่ํา LDO มั่นคงด้วยเครื่องปรับเข้าและออกเซรามิก 1-μF

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

LP5907SNX-3.3/NOPB TI ชิป LP5907 250mA เสียงต่ํา IQ ต่ํา LDO มั่นคงด้วยเครื่องปรับเข้าและออกเซรามิก 1-μF

ชื่อแบรนด์:	TI chips
หมายเลขรุ่น:	LP5907SNX-3.3/นพบี
ขั้นต่ำ:	3000
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	3000 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

LP5907SNX-3.3/นพบี

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

อุณหภูมิในการทำงาน:

- 40 องศาเซลเซียส~+ 125 องศาเซลเซียส

กระแสไฟดับ:

250 ยูเอ

แรงดันขาออก:

3.3 V

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

LP5907SNX-3.3/นพบี

ชิป LP5907SNX-3.3 TI

1μF LDO IQ ต่ํา

รายละเอียดสินค้า

TI chips LP5907SNX-3.3/NOPB LP5907 250mA, Low-Noise, Low-IQ LDO Stable with 1-µF ceramic input and output capacitors

คุณสมบัติ

• สำหรับอุปกรณ์ในกลุ่มผลิตภัณฑ์ที่ทันสมัยกว่า โปรดดูที่

TPS7A20

• ช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุต: 2.2V ถึง 5.5V

• ช่วงแรงดันไฟฟ้าเอาต์พุต: 1.2V ถึง 4.5V

• เสถียรด้วยตัวเก็บประจุอินพุตและเอาต์พุตเซรามิก 1-µF

capacitors

• ไม่จำเป็นต้องใช้ตัวเก็บประจุบายพาสสัญญาณรบกวน

• การวางตำแหน่งตัวเก็บประจุเอาต์พุตระยะไกล

• การป้องกันความร้อนเกินและไฟฟ้าลัดวงจร

• อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน: –40°C ถึง 125°C

• สัญญาณรบกวนแรงดันไฟฟ้าเอาต์พุตต่ำ: < 6.5µVRMS

• PSRR: 82dB ที่ 1kHz

• ความคลาดเคลื่อนของแรงดันไฟฟ้าเอาต์พุต: ±2%

• IQ ต่ำมาก (เปิดใช้งาน): 12μA

• เอาต์พุตตกคร่อมต่ำ: 120mV (ทั่วไป)

• สร้างการออกแบบที่กำหนดเองโดยใช้ LP5907 ด้วย

WEBENCH® Power Designer

แอปพลิเคชัน

• สมาร์ทโฟน

• แท็บเล็ต

• อุปกรณ์สื่อสาร

• กล้องดิจิทัล

• ระบบอัตโนมัติในโรงงาน

คำอธิบาย

LP5907 เป็น LDO สัญญาณรบกวนต่ำที่สามารถจ่าย

กระแสเอาต์พุตได้สูงสุด 250mA LP5907 ออกแบบมาเพื่อตอบสนอง

ความต้องการของวงจร RF และอนาล็อก LP5907 ให้สัญญาณรบกวนต่ำ, PSRR สูง, กระแสไฟฟ้าสงบต่ำ

และอัตราการตอบสนองต่อการเปลี่ยนแปลงแรงดันไฟฟ้าหรือโหลดต่ำ LP5907 ใช้เทคนิคการออกแบบที่เป็นนวัตกรรม

ให้ประสิทธิภาพสัญญาณรบกวนชั้นนำโดยไม่ต้องใช้ตัวเก็บประจุบายพาสสัญญาณรบกวน

และสามารถวางตำแหน่งตัวเก็บประจุเอาต์พุตระยะไกลได้

อุปกรณ์ได้รับการออกแบบมาให้ทำงานกับตัวเก็บประจุอินพุต 1µF และ

ตัวเก็บประจุเอาต์พุตเซรามิก 1µF (ไม่จำเป็นต้องใช้ตัวเก็บประจุบายพาสสัญญาณรบกวนแยกต่างหาก)

อุปกรณ์นี้มีให้เลือกพร้อมแรงดันไฟฟ้าเอาต์พุตคงที่

ตั้งแต่ 1.2V ถึง 4.5V โดยเพิ่มขึ้นทีละ 25mV ติดต่อฝ่ายขายของ Texas

Instruments สำหรับความต้องการแรงดันไฟฟ้าเฉพาะ

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

LP5907SNX-3.3/NOPB TI ชิป LP5907 250mA เสียงต่ํา IQ ต่ํา LDO มั่นคงด้วยเครื่องปรับเข้าและออกเซรามิก 1-μF

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI