รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

OPA197IDBVR TI ชิป OPAx197 36-V Precision Rail to Rail Input/Output Low Offset Voltage Operational Amplifiers

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

OPA197IDBVR TI ชิป OPAx197 36-V Precision Rail to Rail Input/Output Low Offset Voltage Operational Amplifiers

ชื่อแบรนด์:	TI chips
หมายเลขรุ่น:	OPA197IDBVR
ขั้นต่ำ:	3000
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	3000 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

OPA197IDBVR

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

อุณหภูมิในการทำงาน:

- 40 องศาเซลเซียส~+ 125 องศาเซลเซียส

การกระจายพลังงาน:

810 MW

กระแสไฟในการทำงาน:

1 มิลลิแอมป์

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

OPA197IDBVR

OPA197IDBVR TI ชิป

เครื่องขยายเสียงปฏิบัติการความแม่นยำสูงแบบรางต่อราง

รายละเอียดสินค้า

TI ชิป OPA197IDBVR OPAx197 36-V, ความแม่นยำสูง, อินพุต/เอาต์พุตแบบ Rail-to-Rail, แรงดันออฟเซ็ตต่ำ, เครื่องขยายสัญญาณปฏิบัติการ

คุณสมบัติ

1• แรงดันออฟเซ็ตต่ำ: ±100 µV (สูงสุด)

• การดริฟต์แรงดันออฟเซ็ตต่ำ: ±2.5 µV/°C (สูงสุด)

• สัญญาณรบกวนต่ำ: 5.5 nV/√Hz ที่ 1 kHz

• อัตราการปฏิเสธโหมดทั่วไปสูง: 120 dB

(ขั้นต่ำ)

• กระแสไบอัสต่ำ: ±5 pA (ทั่วไป)

• อินพุตและเอาต์พุตแบบ Rail-to-Rail

• แบนด์วิดท์กว้าง: 10-MHz GBW

• อัตราการสลูว์สูง: 20 V/µs

• กระแสไฟฟ้าสแตนด์บายต่ำ: 1 mA ต่อแอมพลิฟายเออร์

(ทั่วไป)

• แหล่งจ่ายไฟกว้าง: ±2.25 V ถึง ±18 V, +4.5 V ถึง +36 V

• อินพุตที่กรอง EMI และ RFI

• ช่วงแรงดันอินพุตแบบดิฟเฟอเรนเชียลถึงเรลแหล่งจ่ายไฟ

• ความสามารถในการขับโหลดคาปาซิทีฟสูง: 1 nF

• แพ็คเกจมาตรฐานอุตสาหกรรม:

– เดี่ยวใน SOIC-8, SOT-5 และ VSSOP-8

– คู่ใน SOIC-8 และ VSSOP-8

– สี่ตัวใน SOIC-14 และ TSSOP-14

การใช้งาน

• ระบบการเก็บข้อมูลแบบมัลติเพล็กซ์

• อุปกรณ์ทดสอบและวัด

• แอมพลิฟายเออร์ไดรเวอร์ ADC ความละเอียดสูง

• บัฟเฟอร์อ้างอิง SAR ADC

• ตัวควบคุมลอจิกที่ตั้งโปรแกรมได้

• การวัดกระแสไฟด้านสูงและด้านต่ำ

• ตัวเปรียบเทียบความแม่นยำสูง

คำอธิบาย

เดอะ OPAx197 แฟมิลี่ (OPA197, OPA2197, และ OPA4197) เป็นแอมพลิฟายเออร์ปฏิบัติการรุ่นใหม่ 36-V อุปกรณ์เหล่านี้ให้ความแม่นยำ dc ที่โดดเด่นและประสิทธิภาพ ac รวมถึงอินพุต/เอาต์พุตแบบ rail-to-rail, ออฟเซ็ตต่ำ (±25 µV, ทั่วไป), การดริฟต์ออฟเซ็ตต่ำ (±0.25 µV/°C, ทั่วไป), และแบนด์วิดท์ 10-MHz คุณสมบัติที่เป็นเอกลักษณ์ เช่น ช่วงแรงดันอินพุตแบบดิฟเฟอเรนเชียลถึงเรลแหล่งจ่ายไฟ, กระแสเอาต์พุตสูง (±65 mA),

ความสามารถในการขับโหลดคาปาซิทีฟสูงถึง 1 nF, และอัตราการสลูว์สูง (20 V/µs) ทำให้ OPA197 เป็นแอมพลิฟายเออร์ปฏิบัติการที่ทนทานและมีประสิทธิภาพสูงสำหรับแอปพลิเคชันแรงดันสูงในอุตสาหกรรม แฟมิลี่ OPA197 ของ op amps มีจำหน่ายในแพ็คเกจมาตรฐานและระบุช่วงอุณหภูมิ -40°C ถึง +125°COPA197 ในระบบการเก็บข้อมูลแบบมัลติเพล็กซ์แรงดันสูง

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

OPA197IDBVR TI ชิป OPAx197 36-V Precision Rail to Rail Input/Output Low Offset Voltage Operational Amplifiers

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI