logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
ชิป TI
Created with Pixso.

TPS54302DDCR TI ชิป TPS54302 อินพุต 4.5V ถึง 28V เอาต์พุต 3A ตัวแปลงลดแรงดันไฟฟ้าที่เป็นมิตรกับ EMI แบบซิงโครนัส

TPS54302DDCR TI ชิป TPS54302 อินพุต 4.5V ถึง 28V เอาต์พุต 3A ตัวแปลงลดแรงดันไฟฟ้าที่เป็นมิตรกับ EMI แบบซิงโครนัส

ชื่อแบรนด์: TI chips
หมายเลขรุ่น: TPS54302DDCR
ขั้นต่ำ: 3000
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: 3000 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
เอกสาร:
แบบอย่าง:
TPS54302DDCR
พิมพ์:
เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที
ชื่อสินค้า:
ชิป TI
อุณหภูมิในการทำงาน:
- 40 องศาเซลเซียส~+ 125 องศาเซลเซียส
แรงดันไฟฟ้าขาเข้า:
4.5 โวลต์ถึง 28 โวลต์
กระแสไฟในการทำงาน:
40 ยูเอ
สามารถในการผลิต:
1000000
เน้น:

TPS54302DDCR

,

TPS54302 TI ชิป

,

ตัวแปลงลดแรงดันไฟฟ้า 4.5V

รายละเอียดสินค้า

TI ชิป TPS54302DDCR TPS54302 อินพุต 4.5V ถึง 28V, เอาต์พุต 3A, ตัวแปลงลดแรงดันแบบซิงโครนัสที่เป็นมิตรกับ EMI


คุณสมบัติ
• ช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุตกว้าง 4.5V ถึง 28V
• MOSFET ในตัว 85mΩ และ 40mΩ สำหรับกระแสเอาต์พุตต่อเนื่อง 3A,
กระแสเอาต์พุตต่อเนื่อง
• การปิดระบบ 2μA ต่ำ, กระแสสงบ 45μA
• เริ่มต้นแบบนุ่มนวลภายใน 5ms
• ความถี่สวิตชิ่งคงที่ 400kHz
• การกระจายสเปกตรัมความถี่เพื่อลด EMI
• การข้ามพัลส์โหมด Eco ขั้นสูง
• การควบคุมโหมดกระแสสูงสุด
• การชดเชยลูปภายใน
• การป้องกันกระแสเกินสำหรับ MOSFET ทั้งสองด้วย
การป้องกันโหมด hiccup
• การป้องกันแรงดันเกิน
• การปิดระบบระบายความร้อน
• แพ็คเกจ SOT-23 (6)

แอปพลิเคชัน
• แหล่งจ่ายบัสพลังงานแบบกระจาย 12V, 24V
• แอปพลิเคชันอุตสาหกรรม
– เครื่องใช้ไฟฟ้าในบ้าน
• แอปพลิเคชันสำหรับผู้บริโภค
– เครื่องเสียง
– STB, DTV
– เครื่องพิมพ์

คำอธิบาย
อุปกรณ์ TPS54302 เป็นตัวแปลงบัคแบบซิงโครนัสอินพุต 4.5V ถึง 28V, 3A อุปกรณ์รวม FET สวิตชิ่งในตัวสองตัว, การชดเชยลูปภายใน และการเริ่มต้นแบบนุ่มนวลภายใน 5ms เพื่อลดจำนวนส่วนประกอบ
ด้วยการรวม MOSFET และการใช้แพ็คเกจ SOT-23, อุปกรณ์ TPS54302 จึงมีความหนาแน่นของพลังงานสูงและมีพื้นที่บน PCB ขนาดเล็ก
การใช้งานโหมด Eco ขั้นสูงช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการโหลดต่ำสุดและลดการสูญเสียพลังงาน
การทำงานแบบกระจายสเปกตรัมความถี่ถูกนำมาใช้เพื่อลด EMI
การจำกัดกระแสแบบรอบต่อรอบใน MOSFET ด้านบนช่วยป้องกันตัวแปลงในสภาวะโอเวอร์โหลด และได้รับการปรับปรุงด้วยการจำกัดกระแส freewheeling ของ MOSFET ด้านล่างที่ป้องกันกระแสไหลย้อนกลับ การป้องกันโหมด Hiccup จะถูกกระตุ้นหากสภาวะกระแสเกินยังคงอยู่เป็นเวลานานกว่าเวลาที่กำหนด

TPS54302DDCR TI ชิป TPS54302 อินพุต 4.5V ถึง 28V เอาต์พุต 3A ตัวแปลงลดแรงดันไฟฟ้าที่เป็นมิตรกับ EMI แบบซิงโครนัส
TPS54302DDCR TI ชิป TPS54302 อินพุต 4.5V ถึง 28V เอาต์พุต 3A ตัวแปลงลดแรงดันไฟฟ้าที่เป็นมิตรกับ EMI แบบซิงโครนัส
TPS54302DDCR TI ชิป TPS54302 อินพุต 4.5V ถึง 28V เอาต์พุต 3A ตัวแปลงลดแรงดันไฟฟ้าที่เป็นมิตรกับ EMI แบบซิงโครนัส