รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

REF3030AIDBZR TI ชิป REF30E และ REF30 ตัวอ้างอิงแรงดันไฟฟ้ากระแสต่ำใน SOT-23-3

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

REF3030AIDBZR TI ชิป REF30E และ REF30 ตัวอ้างอิงแรงดันไฟฟ้ากระแสต่ำใน SOT-23-3

ชื่อแบรนด์:	TI chips
หมายเลขรุ่น:	REF3030AIDBZR
ขั้นต่ำ:	3000
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	3000 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

REF3030AIDBZR

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

อุณหภูมิในการทำงาน:

- 40 องศาเซลเซียส~+ 125 องศาเซลเซียส

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

กระแสไฟในการทำงาน:

42 ยูเอเอ

แรงดันขาออก:

3 โวลต์

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

REF3030AIDBZR

REF3030AIDBZR TI ชิป

แรงดันอ้างอิงกระแสต่ำ

รายละเอียดสินค้า

TI ชิป REF3030AIDBZR REF30E และ REF30, แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้ากระแสต่ำใน SOT-23-3

คุณสมบัติ

• ขนาดเล็กตามมาตรฐานอุตสาหกรรม: SOT23-3

• ความแม่นยำสูง

– REF30E: ±0.1%

– REF30: ±0.2%

• ประสิทธิภาพการลอยตัวของอุณหภูมิยอดเยี่ยม:

– REF30E: 15ppm/°C

– REF30: 75ppm/°C

• REF30E เป็นตัวแทนที่สามารถใช้แทน REF30 ได้โดยตรง

• กระแสไฟฟ้าดับต่ำ Q (ทั่วไป)

– REF30E: 27µA

– REF30: 42µA

• กระแสเอาต์พุตสูง

– REF30E: ±10mA

– REF30: 25mA

• ตัวเลือกแรงดันเอาต์พุต

– REF30E: 1.25V ถึง 5V

– REF30: 1.25V ถึง 4.096V

• ช่วงอุณหภูมิ: -40°C ถึง +125°C

การใช้งาน

• เครื่องส่งสัญญาณภาคสนามและเซ็นเซอร์

• พลังงานแสงอาทิตย์

• PLC, DCS และ PAC

• ระบบกักเก็บพลังงาน

• การแพทย์และสุขภาพ

• AC inverter และ VF drives

• อุปกรณ์ทดสอบแบบพกพา

คำอธิบาย

REF30 เป็นตระกูลแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าอ้างอิงที่มีความแม่นยำสูง ใช้พลังงานต่ำ และมีแรงดันตกคร่อมต่ำ มีให้เลือกในแพ็คเกจ SOT-23 ขนาดเล็ก 3 ขา REF30E เป็นเวอร์ชันประสิทธิภาพสูงของตระกูล REF30 ซึ่งออกแบบมาสำหรับการใช้งานที่ต้องการความแม่นยำ REF30E ให้ประสิทธิภาพการลอยตัวของอุณหภูมิและความแม่นยำเริ่มต้นที่ดีขึ้น ในขณะที่ทำงานด้วยกระแสไฟฟ้าดับที่ต่ำกว่าที่ 25µA การใช้พลังงานต่ำและความแม่นยำที่เพิ่มขึ้นทำให้ REF30E น่าสนใจอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรมที่ใช้พลังงานจากลูป เช่น เครื่องส่งสัญญาณแรงดันและอุณหภูมิ และการใช้งานที่ใช้แบตเตอรี่ REF30/REF30E ถูกระบุในช่วงอุณหภูมิอุตสาหกรรมที่ขยายออกไปตั้งแต่ –40°C ถึง +125°C REF30 ใช้งานง่ายในการใช้งานที่ปลอดภัยจากอันตรายและป้องกันการระเบิด เนื่องจาก REF30 ไม่ต้องการตัวเก็บประจุโหลดเพื่อความเสถียร

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

REF3030AIDBZR TI ชิป REF30E และ REF30 ตัวอ้างอิงแรงดันไฟฟ้ากระแสต่ำใน SOT-23-3

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI