รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

TLC272CDR TI ชิป TLC27xx เครื่องขยายสัญญาณเสียงแบบปฏิบัติการคู่ความแม่นยำ การทำงานด้วยแหล่งจ่ายไฟเดี่ยว

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

TLC272CDR TI ชิป TLC27xx เครื่องขยายสัญญาณเสียงแบบปฏิบัติการคู่ความแม่นยำ การทำงานด้วยแหล่งจ่ายไฟเดี่ยว

ชื่อแบรนด์:	TI chips
หมายเลขรุ่น:	TLC272CDR
ขั้นต่ำ:	2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

TLC272CDR

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

อุณหภูมิในการทำงาน:

- 40 องศาเซลเซียส~+ 85 องศาเซลเซียส

กระแสไฟในการทำงาน:

1.9 mA

การกระจายพลังงาน:

725 มิลลิวัตต์

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

TLC272CDR TI ชิป

TLC272CDR เครื่องขยายสัญญาณเสียงแบบปฏิบัติการ

เครื่องขยายสัญญาณการทำงานแบบคู่

รายละเอียดสินค้า

TI TLC272CDR TLC27xx Precision Dual Operational Amplifiers Single-supply operation

คุณสมบัติ

ช่วงแรงดันไฟฟ้าที่กว้างของแหล่งจ่ายไฟในช่วงที่กำหนด

ช่วงอุณหภูมิ:

– 0°C ถึง 70°C: 3V ถึง 16V

– –40°C ถึง 125°C: 4V ถึง 16V

– –55°C ถึง 125°C: 4V ถึง 16V

การทำงานด้วยแหล่งจ่ายไฟเดี่ยว

ช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุตโหมดร่วมขยายต่ำกว่า

รางลบ (ประเภท C-suffix, I-suffix)

สัญญาณรบกวนต่ำ: โดยทั่วไป 10.8nV/√Hz ที่ f = 1kHz

ช่วงแรงดันไฟฟ้าขาออกรวมถึงรางลบ

อิมพีแดนซ์อินพุตสูง: >1012 Ω โดยทั่วไป

วงจรป้องกัน ESD

มีตัวเลือกแพ็คเกจแบบ small-outline ในเทป

และม้วน

ออกแบบมาให้ทนต่อการเกิด latch-up

คำอธิบาย

TLC272 และ TLC277 precision dual operational

amplifiers รวมเกรดแรงดันไฟฟ้าออฟเซ็ตอินพุตที่หลากหลาย

พร้อมกับการดริฟท์แรงดันไฟฟ้าออฟเซ็ตต่ำ อิมพีแดนซ์อินพุตสูง

สัญญาณรบกวนต่ำ และความเร็วใกล้เคียงกับ BiFET ทั่วไป

อิมพีแดนซ์อินพุตที่สูงมาก กระแสไบอัสต่ำ

และอัตราการสลูว์ที่เพิ่มขึ้นทำให้

อุปกรณ์ที่คุ้มค่าเหล่านี้เป็นตัวเลือกที่ยอดเยี่ยมสำหรับ

แอปพลิเคชันที่เคยสงวนไว้สำหรับผลิตภัณฑ์ BiFET และ NFET

มีเกรดแรงดันไฟฟ้าออฟเซ็ตสี่ระดับ (ประเภท C-suffix และ I-suffix) ตั้งแต่

TLC272 ต้นทุนต่ำ (10mV) ไปจนถึง TLC277 ความแม่นยำสูง

(500µV) ข้อดีเหล่านี้เมื่อรวมกับ

การปฏิเสธโหมดร่วมและการปฏิเสธแรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายที่ดี

ทำให้อุปกรณ์เหล่านี้เป็นตัวเลือกที่ดีสำหรับการออกแบบที่ทันสมัย

ใหม่ รวมถึงการอัปเกรดการออกแบบที่มีอยู่

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

TLC272CDR TI ชิป TLC27xx เครื่องขยายสัญญาณเสียงแบบปฏิบัติการคู่ความแม่นยำ การทำงานด้วยแหล่งจ่ายไฟเดี่ยว

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI