รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป NeXperia

74HC165D 653 Nexperia ชิป 8 บิต อินพุตแบบขนาน เอาต์พุตแบบอนุกรม Shift Register CMOS TTL ใช้งานร่วมกันได้

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

74HC165D 653 Nexperia ชิป 8 บิต อินพุตแบบขนาน เอาต์พุตแบบอนุกรม Shift Register CMOS TTL ใช้งานร่วมกันได้

ชื่อแบรนด์:	NeXperia
หมายเลขรุ่น:	74HC165D,653
ขั้นต่ำ:	2500 ชิ้น
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

ชื่อสินค้า:

เน็กซ์เปเรีย

แบบอย่าง:

74HC165D,653

จำนวนวงจร:

1 วงจร

จำนวนหลัก:

8 บิต

ป้อนจำนวนบรรทัด:

แรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟ:

2 วี-6 วี

อุณหภูมิในการทำงาน:

- 40 องศาเซลเซียส~+ 125 องศาเซลเซียส

สามารถในการผลิต:

100000

เน้น:

74HC165D 653 Shift Register

Nexperia ชิป Serial Output Shift Register

8 บิต CMOS Shift Register

รายละเอียดสินค้า

ชิป NeXperia 74HC165D,653 8-bit Parallel-In/Serial-Out Shift Register CMOS/TTL Compatible

คำอธิบายทั่วไป

74HC165; 74HCT165 เป็น 8-bit serial หรือ parallel-in/serial-out shift registers อุปกรณ์นี้มีอินพุตข้อมูลอนุกรม (DS), อินพุตข้อมูลขนานแปดตัว (D0 ถึง D7) และเอาต์พุตอนุกรมที่เข้ากันได้สองตัว (Q7 และ Q7) เมื่ออินพุต parallel load (PL) เป็น LOW ข้อมูลจาก D0 ถึง D7 จะถูกโหลดเข้าสู่ shift register แบบอะซิงโครนัส เมื่อ PL เป็น HIGH ข้อมูลจะเข้าสู่รีจิสเตอร์แบบอนุกรมที่ DS เมื่ออินพุต clock enable (CE) เป็น LOW ข้อมูลจะถูกเลื่อนเมื่อมีการเปลี่ยนจาก LOW เป็น HIGH ของอินพุต CP การตั้งค่า HIGH บน CE จะปิดใช้งานอินพุต CP อินพุตทนต่อแรงดันเกินได้ถึง 15 V ซึ่งช่วยให้อุปกรณ์สามารถใช้ในการแปลงระดับแรงดัน HIGH-to-LOW ได้

คุณสมบัติและประโยชน์

•

ช่วงแรงดันแหล่งจ่ายไฟกว้างตั้งแต่ 2.0 V ถึง 6.0 V

•

การสิ้นเปลืองพลังงานต่ำแบบ CMOS

•

ภูมิคุ้มกันสัญญาณรบกวนสูง

ประสิทธิภาพการทนต่อการลัดวงจรเกิน 100 mA ตามมาตรฐาน JESD 78 Class II Level B

การโหลดแบบขนาน 8 บิตแบบอะซิงโครนัส

อินพุตอนุกรมแบบซิงโครนัส

ระดับอินพุต:

สำหรับ 74HC165: ระดับ CMOS

สำหรับ 74HCT165: ระดับ TTL

สอดคล้องกับมาตรฐาน JEDEC:

JESD8C (2.7 V ถึง 3.6 V)

JESD7A (2.0 V ถึง 6.0 V)

การป้องกัน ESD:

HBM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 class 2 เกิน 2000 V

CDM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 class C3 เกิน 1000 V

ตัวเลือกแพ็คเกจหลากหลาย

ระบุช่วงอุณหภูมิ -40 °C ถึง +85 °C และ -40 °C ถึง +125 °C

•

อุปกรณ์ 16 ขา นี้มีคุณสมบัติการโหลดแบบขนานแบบอะซิงโครนัส (active LOW), อินพุตสัญญาณนาฬิกาที่ถูกกระตุ้นด้วยขอบขาขึ้น และเอาต์พุตแบบคอมพลีเมนทารี/อนุกรม ประกอบด้วยอินพุตข้อมูลแบบขนาน 8 บิต (D0–D7), อินพุตข้อมูลอนุกรม (DS), clock enable (active LOW), กราวด์ (GND) และแหล่งจ่ายไฟบวก (VCC) รองรับการแปลงข้อมูลแบบขนานเป็นอนุกรม

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

74HC165D 653 Nexperia ชิป 8 บิต อินพุตแบบขนาน เอาต์พุตแบบอนุกรม Shift Register CMOS TTL ใช้งานร่วมกันได้

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI