Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Светодиодный чип OSRAM

Янтарь 612-624 нм светодиод 0,5 Вт AMS-OSRAM LA G6SP для 3528 чип диод тонкопленочная технология индивидуальная настройка

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Янтарь 612-624 нм светодиод 0,5 Вт AMS-OSRAM LA G6SP для 3528 чип диод тонкопленочная технология индивидуальная настройка

Название бренда:	ams-osram
Номер модели:	Лос-Анджелес G6SP
минимальный заказ:	1000 шт.
Цена:	CN¥1.11-1.66
Детали упаковки:	1000 шт/риф
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

МОЙ/CN/TW

Излучающий цвет:

Янтарь

Прямой ток:

200 мА

Входное напряжение (В):

2,5 В

Световой поток (лм):

26,1 лм

Яркость света:

70-120

Температура хранения (℃):

-40 - 110

Смд светодиод

Название продукта:

Лос-Анджелес G6SP

Приложение:

-Пользовательская настройка -Внутреннее освещение (например, Ambient Map) -Сигнализация

Чип технологии:

Тонкая пленка

Поставка способности:

100000

Выделить:

Чип OSRAM G6SP

Чип OSRAM 3528 0

5 Вт

Описание продукта

Название продукта	LA G6SP
БРЕНД	CREE
— Индивидуальная настройка	— Индивидуальная настройка — Внутреннее освещение — Сигнализация
Световая отдача (лм/Вт)	84
Прямой ток	200 мА
МОЩНОСТЬ	0,5 Вт

Янтарный светодиод 612-624 нм 0,5 Вт AMS-OSRAM LA G6SP для чипа 3528, технология тонких пленок, индивидуальная настройка

LA G6SP

Advanced Power TOPLED®

Advanced Power TOPLED имеет компактный корпус с широким диапазоном яркости и высокой световой отдачей.

эффективностью.

Применение

— Индивидуальная настройка

— Внутреннее освещение (например, подсветка карты)

— Сигнализация

Особенности:

— Корпус: белый SMT-корпус, бесцветная прозрачная силиконовая смола

— Технология чипа: Тонкая пленка

— Тип. излучение: 120° (ламбертовский излучатель)

— Цвет: λdom = 617 нм (● янтарный)

— Оптическая эффективность: 84 лм/Вт

— Класс устойчивости к коррозии: 3B

— Квалификация: Соответствует AEC-Q102 с уровнем RV 1

— ESD: 2 кВ согласно ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, класс 2)

1. Максимальные характеристики устройства определяются следующим образом: Рабочая температура (

TTTTI от 1,90 В до 2,05 В, группа 3B охватывает от 2,05 В до 2,20 В, группа 4A покрывает от 2,20 В до 2,35 В, а группа 4B простирается от 2,35 В до 2,50 В, что соответствует общим пределам прямого напряжения, указанным в электрических характеристиках устройства.FAQItDVRFESDI

F от 1,90 В до 2,05 В, группа 3B охватывает от 2,05 В до 2,20 В, группа 4A покрывает от 2,20 В до 2,35 В, а группа 4B простирается от 2,35 В до 2,50 В, что соответствует общим пределам прямого напряжения, указанным в электрических характеристиках устройства.FAQмА, устройство разделено на четыре группы прямого напряжения (3A, 3B, 4A, 4B) с определенными минимальными и максимальными диапазонами прямого напряжения (Vλpeakdomφ0F от 1,90 В до 2,05 В, группа 3B охватывает от 2,05 В до 2,20 В, группа 4A покрывает от 2,20 В до 2,35 В, а группа 4B простирается от 2,35 В до 2,50 В, что соответствует общим пределам прямого напряжения, указанным в электрических характеристиках устройства.FAQF от 1,90 В до 2,05 В, группа 3B охватывает от 2,05 В до 2,20 В, группа 4A покрывает от 2,20 В до 2,35 В, а группа 4B простирается от 2,35 В до 2,50 В, что соответствует общим пределам прямого напряжения, указанным в электрических характеристиках устройства.FAQмА, устройство разделено на четыре группы прямого напряжения (3A, 3B, 4A, 4B) с определенными минимальными и максимальными диапазонами прямого напряжения (VRRth,JS realth,JS elec.eI

F от 1,90 В до 2,05 В, группа 3B охватывает от 2,05 В до 2,20 В, группа 4A покрывает от 2,20 В до 2,35 В, а группа 4B простирается от 2,35 В до 2,50 В, что соответствует общим пределам прямого напряжения, указанным в электрических характеристиках устройства.FAQмА, устройство разделено на четыре группы прямого напряжения (3A, 3B, 4A, 4B) с определенными минимальными и максимальными диапазонами прямого напряжения (VF от 1,90 В до 2,05 В, группа 3B охватывает от 2,05 В до 2,20 В, группа 4A покрывает от 2,20 В до 2,35 В, а группа 4B простирается от 2,35 В до 2,50 В, что соответствует общим пределам прямого напряжения, указанным в электрических характеристиках устройства.FAQF от 1,90 В до 2,05 В, группа 3B охватывает от 2,05 В до 2,20 В, группа 4A покрывает от 2,20 В до 2,35 В, а группа 4B простирается от 2,35 В до 2,50 В, что соответствует общим пределам прямого напряжения, указанным в электрических характеристиках устройства.FAQ1. Как обеспечивается качество?

Наша компания является крупным агентом электронных компонентов в Китае, с более чем 10-летним опытом работы в отрасли. Мы обещаем, что все продукты, которые мы продаем, являются оригинальными и подлинными CREE, OSRAM, LUMILEDS, TSLC (оригинальный SEMILEDS), SEOUL, с квалифицированным качеством, поэтому, пожалуйста, будьте уверены в покупке.

2. Как оформить заказ? Все независимые заказы, склад отгружается в соответствии с регулярным материалом. Лучше всего проконсультироваться с отделом продаж, чтобы подтвердить параметры модели, цену и наличие на складе перед оформлением заказа.

3. Каково время доставки? Обычно доставка осуществляется в течение 3-7 рабочих дней. Время доставки для заказа светодиодных чипов должно быть подтверждено отделом продаж. 4. Как насчет послепродажного обслуживания? Если вы обнаружите какие-либо аномалии после получения товара, пожалуйста, не используйте его и немедленно сфотографируйте аномалию и свяжитесь с отделом продаж, чтобы мы могли своевременно решить проблему для вас. 5. Как вы отправляете и сколько времени занимает доставка? Мы обычно отправляем через DHL, UPS, FedEx, SF, EMS, TNT. Доставка обычно занимает 3-5 дней, за исключением удаленных районов. Воздушные и морские перевозки также возможны.

6. Какие способы оплаты мы принимаем?

Мы принимаем телеграфный перевод, TT, аккредитив, другие способы оплаты подлежат обсуждению

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

Янтарь 612-624 нм светодиод 0,5 Вт AMS-OSRAM LA G6SP для 3528 чип диод тонкопленочная технология индивидуальная настройка

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI