Einzelheiten zu den Produkten

Haus Produkte

OSRAM LED-CHIP

Bernstein 612-624nm LED 0,5W AMS-OSRAM LA G6SP für 3528 Chip Diode Dünnschichttechnologie Kundenspezifische Abstimmung

Alle Kategorien

Hochleistungs-LED-Chip

Treten Sie mit uns in Verbindung

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Kontakt jetzt

Alle Kategorien

Bernstein 612-624nm LED 0,5W AMS-OSRAM LA G6SP für 3528 Chip Diode Dünnschichttechnologie Kundenspezifische Abstimmung

Markenname:	ams-osram
Modellnummer:	LA G6SP
Mindestbestellmenge:	1000 Stück
Preis:	CN¥1.11-1.66
Verpackungsdetails:	1000 Stück/Riff
Zahlungsbedingungen:	T/T

Detailinformationen

Produktbeschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

MY/CN/TW

Farbe ausstrahlen:

Bernstein

Vorwärtsstrom:

200 mA

Eingangsspannung (V):

Lichtstrom (lm):

26,1 lm

Lichtstärke:

70-120

Lagertemperatur (℃):

-40 - 110

SMD-LED

Produktname:

LA G6SP

Anwendung:

-Individuelles Tuning -Innenbeleuchtung (z. B. Ambient Map)--Signalisierung

Chip-Technologie:

Dünnfilm

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

100000

Hervorheben:

G6SP OSRAM Chip

3528 0

5W OSRAM Chip

Produktbeschreibung

Produktbezeichnung	LA G6SP
Marke	CREE
Anwendungen	Bestimmte Abstimmung Innenbeleuchtung Signalgestaltung
Lichtwirksamkeit ((lm/w)	84
Vorwärtsstrom	200 mA
Energie	0.5W

Amber 612-624nm LED 0,5W AMS-OSRAM LA G6SP für 3528 Chip Diode Thinfilm Technologie

LA G6SP

Weiterentwickelte Leistung TOPLED®

Advanced Power TOPLED verfügt über eine kompakte Packung

Alter mit einem breiten Helligkeitsbereich und hoher Leuchtstärke

Effizienz.

Anwendungen

️ Anpassung nach Maß

Innenbeleuchtung (z. B. Umgebungskarte)

¢ Signalisierung

Eigenschaften:

Verpackung: weiße SMT-Verpackung, farbloser, klarer Silikonharz

¢ Chip-Technologie: Dünnfilm

Typische Strahlung: 120° (Lambertian-Emitter)

Farbe: λdom = 617 nm (● Amber)

Optische Wirksamkeit: 84 lm/W

Klasse der Korrosionsbeständigkeit: 3B

Qualifikationen: AEC-Q102 Qualifiziert mit RV-Level 1

¢ ESD: 2 kV gemäß ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Klasse 2)

1.Die Höchstwerte der Einrichtung sind wie folgt definiert:) liegt zwischen einem Mindestwert von -40 °C und einem Höchstwert von 110 °C, während die Lagertemperatur (Die maximale Dauerverbindungstemperatur (Bei einer Schweißpunkttemperatur (B) beträgt die maximale Verbindungstemperatur bei kurzen Anwendungen 150 °C (mit einer mittleren Lebensdauer L70/B50 von 100 h bei dieser Temperatur).) von 25 °C, der Vorwärtsstrom (Der maximale Überspannungsstrom () ist 1000 mA unter Bedingungen einer Impulsdauer () ≤ 10 μs, ein Arbeitszyklus () von 0.005, und. Die maximale Umkehrspannung () bei12 V beträgt, und die ESD-Spannung () ist 2 kV und entspricht ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Klasse 2).

2.Unter Prüfbedingungen eines Vorwärtsstromsund Lötpunkttemperatur, weist die Vorrichtung folgende Hauptmerkmale auf:) ist typischerweise 625 nm, während die dominante Wellenlänge (Die Spektralbandbreite bei 50% relativer Höchstintensität beträgt typischerweise 18 nm.und der Blickwinkel bei 50% Lichtstärke () ist typischerweise. Die Vorwärtsspannung () beimit einer Spannung von mindestens 1,90 V, einem typischen Wert von 2,15 V und einem Höchstwert von 2,50 V, der Umkehrstrom (Der tatsächliche thermische Widerstand von der Verbindung bis zum Schweißpunkt (Der elektrische Widerstand von der Verbindung bis zum Schweißpunkt () bei einer Effizienzhat einen typischen Wert von 34 K/W und höchstens 41 K/W.

3- Bei einem Vorwärtsstrom., wird das Gerät in fünf Helligkeitsgruppen (DA, DB, EA, EB, FA) mit definierter Mindest- und Höchstlichtstärke eingeteilt () und dem entsprechenden typischen Lichtstrom () Werte: Die DA-Gruppe hat einen Lichtstärkebereich von 4,5 cd bis 5,6 cd mit einem typischen Lichtstrom von 15,1 lm, die DB-Gruppe erstreckt sich über 5,6 cd bis 7,1 cd mit 19,0 lm, die EA-Gruppe erstreckt sich über 7,1 cd bis 9.0 CD mit 24.2 lm, die EB-Gruppe reicht von 9,0 cd bis 11,2 cd bei 30,3 lm und die FA-Gruppe reicht von 11,2 cd bis 14,0 cd bei 37,8 lm.

4- Bei einem Vorwärtsstrom., ist das Gerät in vier Vorwärtsspannungsgruppen (3A, 3B, 4A, 4B) mit definierter Mindest- und Höchstspannung () Bereiche: Die Gruppe 3A hat eineder Bereich von 1,90 V bis 2,05 V, die Gruppe 3B von 2,05 V bis 2,20 V, die Gruppe 4A von 2,20 V bis 2,35 V und die Gruppe 4B von 2,35 V bis 2,50 V,die den in den elektrischen Eigenschaften der Vorrichtung angegebenen Gesamtspannungsgrenzwerten entspricht.

Häufig gestellte Fragen

1Wie wird die Qualität gewährleistet? Unsere Firma ist ein großer elektronischer Komponenten-Agent in China, mit mehr als 10 Jahren Erfahrung in der Branche, wir versprechen, dass alle Produkte, die wir verkaufen sind CREE, OSRAM, LUMILEDS,TSLC (das ursprüngliche SEMILEDS)Ich bin sicher, Sie können es kaufen.

2Wie bestelle ich? Alle unabhängigen Aufnahmen werden im Lager nach dem normalen Material geliefert.Es ist am besten, das Verkaufspersonal zu konsultieren, um die Modellparameter Preis zu bestätigen und ob der Spot vor der Bestellung. 3- Was ist die Lieferzeit? In der Regel gilt innerhalb von 3-7 Werktagen nach der Lieferung die Bestellung der Lampenperlen an das Vertriebspersonal als die tatsächliche Antwort auf die Lieferzeit. 4Wie wär's mit After-Sales? Wenn Sie nach Erhalt der Ware eine Anomalie feststellen, verwenden Sie sie bitte nicht und machen Sie sofort ein Foto der Anomalie und wenden Sie sich an das Verkaufspersonal, damit wir sie rechtzeitig für Sie beheben können.

5Wie schicken Sie und wie lange dauert es, bis Sie da sind? Wir versenden normalerweise mit DHL, UPS, FedEx, SF, EMS, TNT. Es dauert in der Regel 3-5 Tage, bis es ankommt, außer in abgelegenen Gebieten, Luft- und Seetransport sind auch optional.

6.Welche Zahlungsmethoden akzeptieren wir?

Wir akzeptieren Telegraphenüberweisung, TT, Akkreditiv, andere Zahlungsmethoden sindVerhandlungen

Schlagworte:

OSRAM LED-CHIP

Cree-LED-Chip

ST IC-Chips

TI-Chips

LED-Chip von Bridgelux

Infineon-Chip

LUMINUS LED-Chip

LED-Lampenperlen

SAMSUNG IC Chips

Mikron-Chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-Chip

SAMSUNG LED Chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chips

ONSemi-Chips

ADI-Chips

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Hochleistungs-LED-Chip

OSRAM LED-CHIP

Cree-LED-Chip

ST IC-Chips

TI-Chips

LED-Chip von Bridgelux

Infineon-Chip

LUMINUS LED-Chip

LED-Lampenperlen

SAMSUNG IC Chips

Mikron-Chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-Chip

SAMSUNG LED Chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chips

ONSemi-Chips

ADI-Chips

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Hochleistungs-LED-Chip

Einzelheiten zu den Produkten

Bernstein 612-624nm LED 0,5W AMS-OSRAM LA G6SP für 3528 Chip Diode Dünnschichttechnologie Kundenspezifische Abstimmung

OSRAM LED-CHIP

Cree-LED-Chip

ST IC-Chips

TI-Chips

LED-Chip von Bridgelux

Infineon-Chip

LUMINUS LED-Chip

LED-Lampenperlen

SAMSUNG IC Chips

Mikron-Chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-Chip

SAMSUNG LED Chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chips

ONSemi-Chips

ADI-Chips

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Hochleistungs-LED-Chip

OSRAM LED-CHIP

Cree-LED-Chip

ST IC-Chips

TI-Chips

LED-Chip von Bridgelux

Infineon-Chip

LUMINUS LED-Chip

LED-Lampenperlen

SAMSUNG IC Chips

Mikron-Chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-Chip

SAMSUNG LED Chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chips

ONSemi-Chips

ADI-Chips