ترانزیستور قدرت Infineon Chip BSC360N15NS3G OptiMOS™3 کانال N، سطح نرمال
ویژگی ها
کانال N، سطح نرمال محصول عالی شارژ گیت × \(R_{DS(on)}\) (FOM) مقاومت در حالت روشن بسیار کم \(R_{DS(on)}\) دمای عملیاتی 150 °C پوشش سرب بدون سرب؛ مطابق با RoHS مطابق با JEDEC¹) برای برنامه هدف واجد شرایط است
ایده آل برای سوئیچینگ فرکانس بالا و یکسوسازی همزمان بدون هالوژن مطابق با IEC61249-2-21
خلاصه محصول
حداکثر درجه بندی ها، در \(T_j\)=25 °C، مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده باشد
مشخصات حرارتی
مشخصات الکتریکی، در \(T_j\)=25 °C، مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده باشد