Infineon Chip BSC360N15NS3G OptiMOS™3 Power-Transistor N-Kanal, Normal Level
Merkmale
N-Kanal, Normal Level Exzellentes Gate-Ladung × \(R_{DS(on)}\) Produkt (FOM) Sehr geringer Durchlasswiderstand \(R_{DS(on)}\) 150 °C Betriebstemperatur Pb-freie Lötmittelbeschichtung; RoHS-konform Qualifiziert nach JEDEC¹) für Zielanwendung
Ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Produktübersicht
Maximale Kennwerte, bei \(T_j\)=25 °C, sofern nicht anders angegeben
Thermische Eigenschaften
Elektrische Kennwerte, bei \(T_j\)=25 °C, sofern nicht anders angegeben