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Détails des produits

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Puce Infineon
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BSC360N15NS3G Infineon OptiMOS 3 MOSFET niveau normal du canal N

BSC360N15NS3G Infineon OptiMOS 3 MOSFET niveau normal du canal N

Nom De La Marque: Infineon Chip
Numéro De Modèle: BSC360N15NS3G
Quantité Minimale De Commande: 2500
Détails De L'emballage: 2500 pièces/bobine
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
modèle:
BSC360N15NS3G
Nom du produit:
Puce Infineon
Taper:
CMS/CMS
Courant continu de drain:
33 A
Température de fonctionnement:
- 55 °C ~ + 150 °C
Dissipation de puissance:
74 W
Capacité d'approvisionnement:
100000
Mettre en évidence:

BSC360N15NS3G

,

Le débit d'air est de 0

,

01 m3/h.

Description du produit

Transistor de puissance Infineon Chip BSC360N15NS3G OptiMOS™3 Canal N, niveau normal


Caractéristiques
Canal N, niveau normal
Excellent produit charge de grille × \(R_{DS(on)}\) (FOM)
Très faible résistance à l'état passant \(R_{DS(on)}\)
Température de fonctionnement 150 °C
Plaquage de plomb sans plomb ; conforme RoHS
Qualifié selon JEDEC¹) pour l'application cible
Idéal pour la commutation à haute fréquence et la rectification synchrone
Sans halogène selon IEC61249-2-21


Résumé du produit
BSC360N15NS3G Infineon OptiMOS 3 MOSFET niveau normal du canal N
BSC360N15NS3G Infineon OptiMOS 3 MOSFET niveau normal du canal N

Valeurs maximales, à \(T_j\)=25 °C, sauf indication contraire
BSC360N15NS3G Infineon OptiMOS 3 MOSFET niveau normal du canal N
Caractéristiques thermiques
BSC360N15NS3G Infineon OptiMOS 3 MOSFET niveau normal du canal N
Caractéristiques électriques, à \(T_j\)=25 °C, sauf indication contraire
BSC360N15NS3G Infineon OptiMOS 3 MOSFET niveau normal du canal N