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उत्पादों का विवरण

Created with Pixso. घर Created with Pixso. उत्पाद Created with Pixso.
टीआई चिप्स
Created with Pixso.

REF3033AIDBZR TI चिप्स 50 पीपीएम/°C अधिकतम 50 μA CMOS वोल्टेज संदर्भ उच्च सटीकता: 0.2%

REF3033AIDBZR TI चिप्स 50 पीपीएम/°C अधिकतम 50 μA CMOS वोल्टेज संदर्भ उच्च सटीकता: 0.2%

ब्रांड का नाम: TI chips
मॉडल नंबर: REF3033AIDBZR
MOQ: 3000
पैकेजिंग विवरण: 3000 पीसी/रील
भुगतान की शर्तें: टी/टी
विस्तृत जानकारी
उत्पत्ति के प्लेस:
चीन
दस्तावेज:
नमूना:
REF3033AIDBZR
प्रोडक्ट का नाम:
टीआई चिप्स
प्रकार:
एसएमडी/एसएमटी
परिचालन तापमान:
- 40 डिग्री सेल्सियस~+ 125 डिग्री सेल्सियस
ऑपरेटिंग बिजली आपूर्ति वर्तमान:
42 यूए
आउटपुट वोल्टेज:
3.3 वी
आपूर्ति की क्षमता:
1000000
प्रमुखता देना:

REF3033AIDBZR

,

REF3033AIDBZR TI चिप्स

,

50 पीपीएम वोल्टेज संदर्भ

उत्पाद वर्णन

TI चिप्स REF3033AIDBZR 50 ppm/°C MAX, 50 μA, CMOS वोल्टेज रेफरेंस उच्च सटीकता: 0.2%


विशेषताएं
• ऑटोमोटिव अनुप्रयोगों के लिए योग्य
• कम ड्रॉपआउट वोल्टेज: 1 mV
• उच्च आउटपुट करंट: 25 mA
• उच्च सटीकता: 0.2%
• कम शांत करंट: 50 μA (अधिकतम)
• उत्कृष्ट निर्दिष्ट बहाव प्रदर्शन
– 50 ppm/°C (अधिकतम), TA = 0°C से 70°C
– 75 ppm/°C (अधिकतम), TA = –40°C से 85°C

अनुप्रयोग 
• पोर्टेबल, बैटरी-संचालित उपकरण
• डेटा अधिग्रहण प्रणाली
• चिकित्सा उपकरण
• हैंड-हेल्ड टेस्ट उपकरण

REF3033AIDBZR TI चिप्स 50 पीपीएम/°C अधिकतम 50 μA CMOS वोल्टेज संदर्भ उच्च सटीकता: 0.2%

विवरण
REF30xx एक सटीक कम-पावर लो-ड्रॉपआउट वोल्टेज रेफरेंस परिवार है जो एक छोटे SOT23-3 (DBV)
पैकेज में उपलब्ध है।
REF30xx का छोटा आकार और कम बिजली की खपत (50 μA अधिकतम) इसे पोर्टेबल और बैटरी-संचालित
अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाता है। REF30xx को लोड कैपेसिटर की आवश्यकता नहीं है।
अनलोड, REF30xx को आउटपुट वोल्टेज के 1 mV के भीतर आपूर्ति के साथ संचालित किया जा सकता है। डिवाइस निर्दिष्ट है
तापमान सीमा –40°C से 85°C के लिए

निरपेक्ष अधिकतम रेटिंग(1)
REF3033AIDBZR TI चिप्स 50 पीपीएम/°C अधिकतम 50 μA CMOS वोल्टेज संदर्भ उच्च सटीकता: 0.2%

विद्युत विशेषताएँ
बोल्डफेस सीमाएँ निर्दिष्ट तापमान सीमा पर लागू होती हैं, TA = –40°C से 85°C। 
TA = 25°C, Iलोड = 0, Vइन = 5 V (जब तक अन्यथा उल्लेख न किया गया हो)
REF3033AIDBZR TI चिप्स 50 पीपीएम/°C अधिकतम 50 μA CMOS वोल्टेज संदर्भ उच्च सटीकता: 0.2%