|
| اسم العلامة التجارية: | TI Chips |
| رقم الموديل: | LP2998MAX/نوبب |
| موك: | 2500 |
| تفاصيل التغليف: | 2500 قطعة/بكرة |
| شروط الدفع: | تي/تي |
رقائق TI LP2998MAX/NOPB LP2998/LP2998-Q1 DDR المنظم النهائي
الخصائص
إرشاد الاختبار AEC-Q100 مع النتائج التالية (SO PowerPAD-8):
مستوى تصنيف H1C من جهاز HBM ESD
نطاق درجة حرارة التقاطع من -40°C إلى 125°C
1.35 فولت V الحد الأدنىDDQ
تيار المصدر والغوص
تعويض الجهد الخارجي المنخفض
لا حاجة لمقاومة خارجية
الطوبولوجيا الخطية
إيقاف وظيفة رام (STR)
انخفاض عدد المكونات الخارجية
إيقاف الحرارة
التطبيقات
فولتاج الانتهاء DDR1 و DDR2 و DDR3 و DDR3L
المعلومات والترفيه في مجال السيارات
FPGA
الكمبيوتر الصناعي/الطبي
SSTL-18، SSTL-2، وSSTL-3 إنهاء
إنهاء HSTL
الوصف
تم تصميم المنظم الخطي LP2998 لتلبية مواصفات JEDEC SSTL-2 و JEDEC SSTL-18 لإنهاء ذاكرة DDR-SDRAM و DDR2.يدعم الجهاز أيضاً DDR3 و DDR3L VTT Bus Termination مع VDDQعلى الأقل 1.35 فولت. يحتوي الجهاز على مكبر تشغيلي عالي السرعة لتوفير استجابة ممتازة لتحولات الحمل. تمنع مرحلة الإخراج من إطلاق النار أثناء تقديم 1.5 ذروة التيار المستمر والانتقالية تصل إلى 3 A في التطبيق كما هو مطلوب لإنهاء DDR-SDRAMLP2998 يحتوي أيضا على دبوس VSENSE لتوفير تنظيم تحميل متفوقةREFمخرج كمرجع لمجموعة الرقائق و DIMM.
ميزة إضافية وجدت على LP2998 هي دبوس إيقاف نشط منخفض (SD̅) يوفر وظيفة تعليق إلى ذاكرة الذاكرة (STR). عندما يتم سحب SD̅ منخفضًا ، فإن VTTالمخرج سوف ثلاثي الحالة توفير مخرج عائق عالية، ولكن، VREFسوف تبقى نشطة. يمكن الحصول على ميزة توفير الطاقة في هذا الوضع من خلال التيار الهادئ DDR أقل.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia