Подробная информация о продукции

Дом Продукты

чипы TI

TPS26621DRCR TI Чипы TPS2662x 60-В 800-мА промышленные eFuse с интегрированной защитой от обратной полярности на входе и выходе

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

TPS26621DRCR TI Чипы TPS2662x 60-В 800-мА промышленные eFuse с интегрированной защитой от обратной полярности на входе и выходе

Название бренда:	TI Chips
Номер модели:	TPS26621DRCR
минимальный заказ:	3000
Детали упаковки:	3000 шт./катушка
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

Документ:

модель:

TPS26621DRCR

Название продукта:

чипы TI

СМД/СМТ

880 мам

Рабочий ток источника питания:

343 мкА

Инкапсуляция:

Катушка

Поставка способности:

1000000

Выделить:

TPS26621DRCR

TPS26621 TI Чипы

Промышленные eFuse с защитой от полярности

Описание продукта

TI Chips TPS26621DRCR TPS2662x 60-V, 800-mA промышленные eFuse с интегрированной защитой от обратной полярности на входе и выходе

Особенности

• Рабочее напряжение от 4,5 В до 60 В,

62 В абсолютный максимум

• Интегрированная защита от обратной полярности на входе до

–60 В

• Интегрированная защита от обратной полярности на выходе до

– (60 – ВIN) (только для TPS26624 и TPS26625)

• Интегрированные обратно-параллельные MOSFET с общим сопротивлением

478 мОм

• Регулируемый ток ограничения от 25 мА до 880 мА

(±5% точности при 880 мА)

• Защита нагрузки во время перенапряжения (IEC 61000-4-5) с

минимальным количеством внешних компонентов

• Иммунитет к быстрым электрическим переходным процессам согласно IEC

61000-4-4

• Быстрое блокирование обратного тока (0,3 мкс)

• Регулируемые пороги УФЗ, отсечки по перенапряжению,

контроль скорости нарастания выходного сигнала для ограничения пускового тока

• Фиксированный ограничитель перенапряжения 38 В

(только для TPS26622 и TPS26623)

• Низкий ток покоя, 340 мкА в рабочем режиме,

12 мкА в режиме отключения

• Малый форм-фактор – 10L (3 мм × 3 мм) VSON

• Признано UL 2367

– Файл № 169910

– RILIM ≥ 7,5 кОм (максимум 0,91 А)

• Сертифицировано IEC 62368-1

Применение

• Модули входов/выходов ПЛК

• Приводы переменного и сервоприводы

• Датчики и системы управления

• Термостат

• Защита PoE на стороне высокого напряжения

Описание

Семейство TPS2662x представляет собой компактные, многофункциональные высоковольтные

eFuses с полным набором функций защиты.

Широкий диапазон входного напряжения от 4,5 В до 60 В

позволяет управлять многими популярными напряжениями шины постоянного тока.

Устройство может выдерживать и защищать нагрузки от

положительных и отрицательных напряжений питания до ±60 В.

Устройства TPS26624 и TPS26625 поддерживают как

защиту от обратной полярности на входе, так и на выходе.

Интегрированные обратно-параллельные FET обеспечивают функцию блокирования обратного тока, делая устройство подходящим

для систем с требованиями к удержанию выходного напряжения

во время сбоев питания и пропадания напряжения. Защита нагрузки,

источника и устройства обеспечивается множеством

регулируемых функций, включая пороги перегрузки по току, скорости нарастания выходного сигнала

и перенапряжения, пониженного напряжения.

Внутренние надежные блоки управления защитой наряду с

высоким номинальным напряжением семейства TPS2662x помогают

упростить проектирование системы для защиты от перенапряжений.

Устройства TPS26620, TPS26622 и TPS26624 имеют функцию

отключения при сбое, а TPS26621, TPS26623 и TPS26625

имеют функцию автоматического повторного включения при

сбоях по перегреву и перегрузке по току.

Устройства доступны в 10-выводном корпусе SON размером 3 мм × 3 мм

и рассчитаны на температурный диапазон от –40°C до

+125°C.

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

TPS26621DRCR TI Чипы TPS2662x 60-В 800-мА промышленные eFuse с интегрированной защитой от обратной полярности на входе и выходе

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI