Подробная информация о продукции

Дом Продукты

чипы TI

INA240A1DR TI Чипы INA240 от -4 В до 80 В Двунаправленный сверхточный усилитель для измерения тока с улучшенным подавлением ШИМ

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

INA240A1DR TI Чипы INA240 от -4 В до 80 В Двунаправленный сверхточный усилитель для измерения тока с улучшенным подавлением ШИМ

Название бренда:	TI Chips
Номер модели:	INA240A1DR
минимальный заказ:	2500
Детали упаковки:	2500 шт./катушка
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

Документ:

модель:

INA240A1DR

Название продукта:

чипы TI

СМД/СМТ

Степень скорости:

2 V/us

Инкапсуляция:

Катушка

Полоса пропускания 3 дБ:

400 кГц

Поставка способности:

1000000

Выделить:

INA240A1DR

INA240A1 TI Чипы

4-вольтовый усилитель для измерения тока

Описание продукта

TI Chips INA240A1DR INA240 – от -4 В до 80 В, двунаправленный, сверхточный усилитель тока с улучшенным подавлением ШИМ

Особенности

• Улучшенное подавление ШИМ

• Отличное Кгс:

– 132 дБ DC Кгс

– 93 дБ AC Кгс при 50 кГц

• Широкий диапазон синфазного напряжения: от –4 В до 80 В

• Точность:

– Коэффициент усиления:

• Погрешность усиления: 0,20% (максимум)

• Дрейф коэффициента усиления: 2,5 ppm/°C (максимум)

– Смещение:

• Напряжение смещения: ±25 мкВ (максимум)

• Дрейф смещения: 250 нВ/°C (максимум)

• Доступные коэффициенты усиления:

– INA240A1: 20 В/В

– INA240A2: 50 В/В

– INA240A3: 100 В/В

– INA240A4: 200 В/В

• Ток покоя: 2,4 мА (максимум)

Применения

• Управление двигателями

• Управление соленоидами и клапанами

• Управление питанием

• Управление исполнительными механизмами

• Регуляторы давления

• Телекоммуникационное оборудование

Описание

Устройство INA240 представляет собой усилитель тока с выходным напряжением и улучшенным подавлением ШИМ, который может

измерять падение напряжения на шунтирующих резисторах в широком диапазоне синфазного напряжения от –4 В до 80 В,

независимо от напряжения питания. Отрицательное синфазное напряжение позволяет устройству работать ниже земли,

обеспечивая работу в период обратного хода типичных соленоидных приложений. Улучшенное подавление ШИМ обеспечивает

высокий уровень подавления для больших синфазных переходных процессов (ΔV/Δt) в системах, использующих

сигналы широтно-импульсной модуляции (ШИМ) (такие как системы управления двигателями и соленоидами). Эта функция

позволяет проводить точные измерения тока без больших переходных процессов и связанного с ними пульсационного

восстановления выходного напряжения.

Это устройство работает от одного источника питания от 2,7 В до 5,5 В, потребляя максимум 2,4 мА

тока питания. Доступны четыре фиксированных коэффициента усиления: 20 В/В,

50 В/В, 100 В/В и 200 В/В. Низкое смещение архитектуры с нулевым дрейфом

обеспечивает измерение тока с максимальными падениями на шунте до 10 мВ

полной шкалы. Все версии специфицированы для расширенного

диапазона рабочих температур (от –40°C до +125°C) и

предлагаются в 8-выводных корпусах TSSOP и 8-выводных корпусах SOIC

пакетах.

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

INA240A1DR TI Чипы INA240 от -4 В до 80 В Двунаправленный сверхточный усилитель для измерения тока с улучшенным подавлением ШИМ

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI