Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Обломок СИД Кри

XHP50.3 Высокой плотности Высокой интенсивности 7000K CCT 5050 SMD светодиодный чип 18 Вт 6 В-12 В Белая печатная плата CREE

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

XHP50.3 Высокой плотности Высокой интенсивности 7000K CCT 5050 SMD светодиодный чип 18 Вт 6 В-12 В Белая печатная плата CREE

Название бренда:	Cree
Номер модели:	ХНР50.3
минимальный заказ:	10
Цена:	CN¥23.66-33.71
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

Цветовая температура (CCT):

2700K (мягкий теплый белый), 3500K (теплый белый), 4100K (нейтральный белый), 5000K (дневной свет),

Световая эффективность (лм/Вт):

Индекс цветопередачи (Ra):

Излучающий цвет:

Белый

Входное напряжение (В):

6V-12V

Рабочая температура (℃):

-40 - 85

Температура хранения (℃):

-40 - 100

Угол обзора (°):

Название продукта:

ХНР50.3

Приложение:

стадион, открытая площадка и архитектурный центр

Поставка способности:

1000000

Выделить:

XHP50.3 CREE SMD светодиод

7000K CREE SMD светодиод

XHP50.3 5050 SMD светодиодный чип

Описание продукта

Светодиодный чип XHP50.3 High Density High Intensity 7000K CCT 5050 SMD 18 Вт 6 В-12 В с белой печатной платой CREE

Светодиоды XLamp®XHP50.3

ОПИСАНИЕ ПРОДУКТА

Светодиоды XLamp XHP50.3 — это третье поколение Extreme

высокомощных светодиодов, обеспечивающих наилучшую плотность светового потока, надежность и

оптический контроль в своем размере. Используя преимущества семейства XHP

производители осветительного оборудования могут значительно снизить свои

системные затраты, используя меньше оптики, печатных плат и радиаторов, чем

возможно со стандартными светодиодами.

Светодиоды семейства XHP третьего поколения обеспечивают улучшенные оптические

характеристики по сравнению с предыдущими поколениями, а также новую

версию XHP50 с высокой интенсивностью. XHP50.3 High Intensity

обеспечивает удвоенную интенсивность для существующих конструкций XHP50.

Светодиоды XLamp XHP50.3 оптимизированы для наружного и премиального

внутреннего освещения, требующего большого количества света

из небольших светильников, таких как стадионы, наружные зоны и

архитектурные прожекторы.

ХАРАКТЕРИСТИКИ

• Доступны в белом цвете, конфигурируются на 3 В, 6 В или 12 В с помощью печатной платы

расположение

• Доступны в бинах EasyWhite® с 5 шагами при 3000 К - 5000 К

Цветовая температура, бины EasyWhite с 3 шагами при 2700 К - 5000 К и 2 шагами

бины EasyWhite при 2700 К - 4000 К Цветовая температура

• Доступны в бинах ANSI White при 3000 К - 7000 К Цветовая температура

• Доступны в стандартных вариантах с минимальным индексом цветопередачи 70, 80 и 90

• Бинирование при 85 °C

• Максимальный ток управления: 6000 мА (3 В), 3000 мА (6 В),

1500 мА (12 В)

• Низкое тепловое сопротивление: 0,4 °C/Вт

• Широкий угол обзора: 120°

• Неограниченный срок хранения при ≤ 30 °C/85% относительной влажности

• Пайка оплавлением - JEDEC J‑STD‑020C

• Соответствие RoHS и REACh

• Компонент, признанный UL® (E349212)

В этом документе подробно описаны ключевые характеристики светодиодов XHP50.3, которые тестируются и бинируются в производстве специально для конфигурации 12 В, с вариантами расположения выводов, доступными в разделе «Механические размеры» на странице 39. Тепловое сопротивление от перехода до паяльной точки имеет типичное значение 0,4 °C/Вт, измерения проводятся в соответствии со стандартом JEDEC JESD51-14. Оптический угол обзора (FWHM) составляет типично 120 градусов. Что касается температурных коэффициентов напряжения, значения составляют -1,4 мВ/°C для конфигурации 3 В, -2,8 мВ/°C для конфигурации 6 В и -5,6 мВ/°C для конфигурации 12 В. Для надежности при электростатическом разряде (ESD) устройство имеет максимальное напряжение устойчивости к ESD 8000 В (HBM по Mil-Std-883D). Электрические предельные значения постоянного прямого тока составляют 6000 мА для конфигурации 3 В, 3000 мА для конфигурации 6 В и 1500 мА для конфигурации 12 В, с максимальным обратным напряжением 1 В (для конфигурации 6 В). Спецификации прямого напряжения приведены при определенных условиях испытаний: при 2800 мА и 85 °C (конфигурация 3 В) типичное прямое напряжение составляет 2,8 В с максимумом 3,1 В; при 1400 мА и 85 °C (конфигурация 6 В) типичное значение составляет 5,6 В с максимумом 6,2 В; и при 700 мА и 85 °C (конфигурация 12 В) типичное прямое напряжение составляет 11,2 В с максимумом 12,4 В. Следует отметить, что данные для конфигураций 3 В и 6 В рассчитаны и приведены только для справки. Максимальная температура перехода светодиода для устройства составляет 150 °C, что устанавливает верхний предел рабочей температуры.

название продукта	Светодиоды XHP50.3
бренд	cree
цвет	белый
Цветовая температура	3000 K - 7000 K Цветовая температура
CRI	CRI70, CRI 80, CRI 90
Прямое напряжение	3 В, 6 В или 12 В с помощью печатной платы расположение
Постоянный прямой ток	6000 мА (3 В), 3000 мА (6 В), 1500 мА (12 В)
МОЩНОСТЬ	18 Вт

Теги:

Теплый нейтральный холодный CREE светодиодный чип белого цвета T6 от 2700K до 7000K XPP светодиоды 3000 мА 3А ток 3В 10 Вт

Получите самую лучшую цену

Оригинальный светодиодный чип CREEs 2835 SMD мощностью 9 Вт 1 Вт серии J, 2200K-6500K, холодный, натуральный, теплый белый, мощный диод

Получите самую лучшую цену

Оригинальный оптический источник 12 мм 36 В CXB1816N CXA1816N CREE Керамический COB светодиодный чип Диод 32 Вт Белый Ra90

Получите самую лучшую цену

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

XHP50.3 Высокой плотности Высокой интенсивности 7000K CCT 5050 SMD светодиодный чип 18 Вт 6 В-12 В Белая печатная плата CREE

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI