Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Светодиодный чип OSRAM

LA B6SP Янтарный 610-624 нм 2в-2.5в прозрачная силиконовая смола Ams-OSRAM 3528 Чип Диод 120 Угол обзора

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

LA B6SP Янтарный 610-624 нм 2в-2.5в прозрачная силиконовая смола Ams-OSRAM 3528 Чип Диод 120 Угол обзора

Название бренда:	ams-osram
Номер модели:	Лос-Анджелес B6SP
минимальный заказ:	1200 шт.
Цена:	$0.55-0.94
Детали упаковки:	1200ПК/риф
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

МОЙ/CN/TW

Гарантия (год):

3 года

Излучающий цвет:

Янтарь

Прямой ток:

200 мА

Входное напряжение (В):

2-2,5 В

Световой поток (лм):

60lm

Рабочая температура (℃):

-40 - 110

Температура хранения (℃):

-40 - 110

Тип:

Смд светодиод

Угол обзора (°):

120

Упаковка:

белая упаковка PLCC-2, прозрачная силиконовая смола

Поставка способности:

1000000

Выделить:

B6SP Чип OSRAM

3528 Янтарный Чип OSRAM

624 нм 3528 Чип OSRAM

Описание продукта

LA B6SP Amber 610-624nm 2v-2.5v clear Silicone Resin Ams-OSRAM 3528 Chip Diode 120 Viewing Angle

LA B6SP

Power SIDELED®

Power SIDELED представляет собой компактный корпус с

широким диапазоном яркости и высокой световой эффективностью.

Применение

— Кластер, подсветка кнопок

— Сигнализация

Особенности:

— Корпус: белый корпус PLCC-2, прозрачная силиконовая смола

— Технология чипа: Тонкопленочная

— Тип. излучение: 120° (излучатель Ламберта)

— Цвет: λdom = 617 нм (● янтарный)

— Класс коррозионной стойкости: 3B

— Квалификация: Соответствует AEC-Q102

— ESD: 2 кВ согласно ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, класс 2)

В этом разделе представлены максимальные характеристики электронного компонента, определяющие его критические тепловые, электрические и рабочие пределы. Диапазон рабочих температур (stg) при 140 мА имеет минимальное значение 1,90 В, типичное значение 2,20 В и максимальное значение 2,50 В. Обратный ток (2) при) составляет 125 °C, с более высокой максимальной температурой перехода 150 °C, указанной для кратковременных применений (с указанием медианного срока службы (L70/B50) 100 часов приj°C) при 140 мА имеет минимальное значение 1,90 В, типичное значение 2,20 В и максимальное значение 2,50 В. Обратный ток (I) при обратном напряжении 12 В имеет типичное значение 0,01 мкА и максимальное значение 10 мкА.TSthJS real) имеет типичное значение 40 К/Вт и максимальное значение 50 К/Вт. Электрическое тепловое сопротивление от перехода до точки пайки (FS10=R5ESDF) при 140 мА имеет минимальное значение 1,90 В, типичное значение 2,20 В и максимальное значение 2,50 В. Обратный ток (I) при обратном напряжении 12 В имеет типичное значение 0,01 мкА и максимальное значение 10 мкА.OSRAMRthJS real) имеет типичное значение 40 К/Вт и максимальное значение 50 К/Вт. Электрическое тепловое сопротивление от перехода до точки пайки (5dom

) при прямом токе 140 мА имеет минимальное значение 612 нм, типичное значение 617 нм и максимальное значение 624 нм. Типичная спектральная ширина полосы при 50% относительной максимальной интенсивности (F) при 140 мА имеет минимальное значение 1,90 В, типичное значение 2,20 В и максимальное значение 2,50 В. Обратный ток (I) при обратном напряжении 12 В имеет типичное значение 0,01 мкА и максимальное значение 10 мкА.OSRAMRthJS real) имеет типичное значение 40 К/Вт и максимальное значение 50 К/Вт. Электрическое тепловое сопротивление от перехода до точки пайки (R

thJS elec.) 40%, имеет типичное значение 24 К/Вт и максимальное значение 30 К/Вт.бренд3528

цвет

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

LA B6SP Янтарный 610-624 нм 2в-2.5в прозрачная силиконовая смола Ams-OSRAM 3528 Чип Диод 120 Угол обзора

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI