ST chip STFW3N150 N-channel 1500 V, 2.5 A, 6 Ω typ., PowerMESH Power MOSFETs em TO-3PF, H2PAK-2, TO-220
Características
• 100% testado para avalanche
• Capacitâncias intrínsecas e Qg minimizadas
• Comutação de alta velocidade
Aplicações
• Aplicações de comutação
Descrição
Estes Power MOSFETs são projetados usando o consolidado processo MESH OVERLAY baseado em layout de tira da STMicroelectronics. O resultado é um produto que iguala ou melhora o desempenho de peças padrão comparáveis de outros fabricantes.
Estes Power MOSFETs são projetados usando o consolidado processo MESH OVERLAY baseado em layout de tira da STMicroelectronics. O resultado é um produto que iguala ou melhora o desempenho de peças padrão comparáveis de outros fabricantes.