ST-Chip STFW3N150 N-Kanal 1500 V, 2,5 A, 6 Ω typ., PowerMESH Power MOSFETs in TO-3PF, H2PAK-2, TO-220
Merkmale
• 100% Lawinentest
• Intrinsische Kapazitäten und Qg minimiert
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Anwendungen
• Schaltanwendungen
Beschreibung
Diese Power-MOSFETs sind mit dem konsolidierten STMicroelectronics
Strip-Layout-basierten MESH OVERLAY-Prozess entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, das die Leistung vergleichbarer Standardteile anderer Hersteller erreicht oder übertrifft.