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ULQ2003AQDRQ1 TI 칩 ULQ200xA-Q1 고전압 고전류 다링턴 트랜지스터 배열

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ULQ2003AQDRQ1 TI 칩 ULQ200xA-Q1 고전압 고전류 다링턴 트랜지스터 배열

브랜드 이름:	TI Chips
모델 번호:	ULQ2003AQDRQ1
MOQ:	2500
포장 세부사항:	2500PCS/릴
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

ULQ2003AQDRQ1

SMD/SMT

작동 온도:

- 40°C ~ + 125°C

최대 DC 컬렉터 전류:

500mA

공급 능력:

1000000

강조하다:

ULQ2003AQDRQ1

ULQ2003AQDRQ1 TI 칩

고전압 다링턴 트랜지스터

제품 설명

TI 칩 ULQ2003AQDRQ1 ULQ200xA-Q1 고전압 고전류 달링턴 트랜지스터 어레이

특징

• 자동차 애플리케이션용으로 승인됨

• 기계식

모델(C = 200pF, R = 0)을 사용하여 200V 이상의 ESD 보호

• 500mA 정격 컬렉터 전류(단일 출력)

• 고전압 출력: 50V

• 출력 클램프 다이오드

• 다양한 유형의 로직과 호환되는 입력

• 릴레이 드라이버 애플리케이션

애플리케이션

• 릴레이 드라이버

• 스테퍼 및 DC 브러시 모터 드라이버

• 램프 드라이버

• 디스플레이 드라이버(LED 및 가스 방전)

• 라인 드라이버

• 로직 버퍼

설명

ULQ200xA-Q1 장치는 고전압, 고전류 달링턴 트랜지스터 어레이입니다. 각 장치는 유도성 부하를 스위칭하기 위한 공통 음극 클램프 다이오드를 갖춘 고전압 출력을 특징으로 하는 7개의 npn 달링턴 쌍으로 구성됩니다. 단일 달링턴 쌍의 컬렉터 전류 정격은 500mA입니다. 달링턴 쌍은 더 높은 전류 용량을 위해 병렬로 연결할 수 있습니다.

ULQ2003A-Q1에는 TTL 또는 5V CMOS 장치와 직접 작동하기 위한 각 달링턴 쌍에 대한 2.7kΩ 직렬 베이스 저항이 있습니다. ULQ2004A-Q1에는 6V ~ 15V의 공급 전압을 사용하는 CMOS 장치에서 직접 작동할 수 있도록 10.5kΩ 직렬 베이스 저항이 있습니다. ULQ2004A-Q1의 필요한 입력 전류는 ULQ2003A-Q1보다 낮습니다.

태그:

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