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dettagli dei prodotti

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Chip Infineon
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BSC019N06NS Infineon Chip Transistor di potenza OptiMOS 60 V testato al 100% in valanga

BSC019N06NS Infineon Chip Transistor di potenza OptiMOS 60 V testato al 100% in valanga

Marchio: Infineon Chip
Numero di modello: BSC019N06NS
MOQ: 2500
Dettagli dell'imballaggio: 2500 pezzi/bobina
Termini di pagamento: T/T
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Cina
modello:
BSC019N06NS
Nome del prodotto:
Chip Infineon
Tipo:
Bobina
Tipo di prodotto:
MOSFET
Sottocategoria:
Transistor
Tecnologia:
Si
Capacità di alimentazione:
100000
Evidenziare:

BSC019N06NS

,

BSC019N06N Infineon Chip

,

OptiMOS testato al 100% in valanga

Descrizione del prodotto

Infineon Chip BSC019N06NS OptiMOSTM Transistor di potenza, 60 V testato al 100% in valanga


OptiMOSTM Transistor di potenza, 60 V testato al 100% in valanga


Caratteristiche
• Ottimizzato per la rettifica sincrona 
• Valutato a 175 °C 
• Testato al 100% in valanga 
• Resistenza termica superiore 
• Canale N
• Qualificato secondo JEDEC1)  per applicazioni target 
• Placcatura dei terminali senza piombo; conforme a RoHS 
• Senza alogeni secondo IEC61249-2-21 
• Maggiore affidabilità delle giunzioni saldate grazie a interconnessione sorgente allargata

Parametri chiave di prestazione
BSC019N06NS Infineon Chip Transistor di potenza OptiMOS 60 V testato al 100% in valanga

Valori massimi 
a TA=25°C, se non diversamente specificato
BSC019N06NS Infineon Chip Transistor di potenza OptiMOS 60 V testato al 100% in valanga
Caratteristiche termiche
BSC019N06NS Infineon Chip Transistor di potenza OptiMOS 60 V testato al 100% in valanga
Caratteristiche elettriche 
aTj=25°C, se non diversamente specificato
BSC019N06NS Infineon Chip Transistor di potenza OptiMOS 60 V testato al 100% in valanga
BSC019N06NS Infineon Chip Transistor di potenza OptiMOS 60 V testato al 100% in valanga
BSC019N06NS Infineon Chip Transistor di potenza OptiMOS 60 V testato al 100% in valanga