logo
Καλή τιμή  Διαδικτυακά

λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
Infineon Chip
Created with Pixso.

BSC019N06NS Infineon Chip OptiMOS Power Transistor 60 V 100% avalanche tested

BSC019N06NS Infineon Chip OptiMOS Power Transistor 60 V 100% avalanche tested

Επωνυμία: Infineon Chip
Αριθμός μοντέλου: BSC019N06NS
MOQ: 2500
Λεπτομέρειες συσκευασίας: 2500 ΤΕΜ/κύλινδρο
Όροι πληρωμής: T/T
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Κίνα
μοντέλο:
BSC019N06NS
Όνομα προϊόντος:
Infineon Chip
Τύπος:
Καρούλι
Τύπος προϊόντος:
Μοτσέτς
Υποκατηγορία:
Τρανζίστορ
Τεχνολογία:
ΣΙ
Δυνατότητα προσφοράς:
100000
Επισημαίνω:

BSC019N06NS

,

BSC019N06N Infineon Chip

,

100% Avalanche Tested OptiMOS

Περιγραφή προϊόντος

Infineon Chip BSC019N06NS OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V 100% δοκιμή χιονοστιβάδας


Δυναμικός τρανζίστορας OptiMOSTM, 60 V 100% δοκιμασμένος σε χιονοστιβάδα


Χαρακτηριστικά
•Βελτιστοποιημένο για συγχρονισμένη διόρθωση
• 175 °C
• 100% δοκιμή χιονοστιβάδας
•Υψηλότερη θερμική αντοχή
•N-κανάλι
•Προσόντα σύμφωνα με το JEDEC1)για εφαρμογές-στόχους
•Παγκόσμια διαφάνεια
•Χωρίς αλογένια σύμφωνα με την IEC61249-2-21
•Υψηλότερη αξιοπιστία των συγκολλημάτων συγκόλλησης λόγωδιευρυμένη διασύνδεση πηγής

Βασικές παραμέτρους απόδοσης
BSC019N06NS Infineon Chip OptiMOS Power Transistor 60 V 100% avalanche tested

Μέγιστες αξιολογήσεις
στοΤΑ= 25°C, εκτός εάν ορίζεται διαφορετικά
BSC019N06NS Infineon Chip OptiMOS Power Transistor 60 V 100% avalanche tested
Θερμικά χαρακτηριστικά
BSC019N06NS Infineon Chip OptiMOS Power Transistor 60 V 100% avalanche tested
Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά
στοΤj= 25°C, εκτός εάν ορίζεται διαφορετικά
BSC019N06NS Infineon Chip OptiMOS Power Transistor 60 V 100% avalanche tested
BSC019N06NS Infineon Chip OptiMOS Power Transistor 60 V 100% avalanche tested
BSC019N06NS Infineon Chip OptiMOS Power Transistor 60 V 100% avalanche tested