ST-Chip STW4N150 N-Kanal 1500 V, 6 Ω typ., 4 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-220, TO-247 und TO-3PF Gehäusen
Merkmale
• 100% Lawinentest
• Intrinsische Kapazitäten und Qg minimiert
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit
• Vollständig isoliertes TO-3PF Kunststoffgehäuse
Anwendungen
• Schaltanwendungen
Beschreibung
Diese Power-MOSFETs werden unter Verwendung des konsolidierten
Strip-Layout-basierten MESH OVERLAY-Prozesses von STMicroelectronics entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, das die Leistung vergleichbarer Standardteile anderer Hersteller erreicht oder übertrifft.